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    P4C188-20CC 参数 Datasheet PDF下载

    P4C188-20CC图片预览
    型号： P4C188-20CC
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 超高速16K ×4的静态CMOS RAMS [ULTRA HIGH SPEED 16K x 4 STATIC CMOS RAMS]
    分类和应用： 存储内存集成电路静态存储器
    文件页数/大小： 12 页 / 204 K
    品牌： PYRAMID [ PYRAMID SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
     浏览型号P4C188-20CC的Datasheet PDF文件第1页浏览型号P4C188-20CC的Datasheet PDF文件第2页浏览型号P4C188-20CC的Datasheet PDF文件第3页浏览型号P4C188-20CC的Datasheet PDF文件第4页浏览型号P4C188-20CC的Datasheet PDF文件第6页浏览型号P4C188-20CC的Datasheet PDF文件第7页浏览型号P4C188-20CC的Datasheet PDF文件第8页浏览型号P4C188-20CC的Datasheet PDF文件第9页  
    P4C188/188L
    交流特性 - 写周期
    (V
    CC
    = 5V ±10 ％ ，全温度范围）
    (2)
    符号。
    t
    WC
    t
    CW
    参数
    写周期时间
    芯片使能
    时间为
    写结束
    地址有效
    写的结束
    地址
    建立时间
    写脉冲
    宽度
    地址保持
    从时间
    写结束
    数据有效到
    写结束
    数据保持
    时间
    写使能
    到输出的
    高Z
    输出活动
    从最终
    写
    2
    -10
    10
    7
    12
    8
    -12
    13
    10
    -15
    20
    13
    -20
    25
    15
    -25
    35
    25
    -35
    45
    35
    -45
    最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值
    单位
    ns
    ns
    t
    AW
    t
    AS
    t
    WP
    t
    AH
    7
    0
    8
    0
    8
    0
    9
    0
    10
    0
    10
    0
    15
    0
    13
    0
    20
    0
    15
    0
    25
    0
    25
    0
    35
    0
    35
    0
    ns
    ns
    ns
    ns
    t
    DW
    t
    DH
    t
    WZ
    5
    0
    5
    6
    0
    6
    7
    0
    6
    8
    0
    8
    10
    0
    10
    15
    0
    15
    20
    5
    20
    ns
    ns
    ns
    t
    DW
    2
    2
    2
    2
    3
    3
    ns
    时序波形写周期NO 。 1 （我们控制）
    (9)
    WE
    注意事项：
    9.
    CE
    和
    WE
    必须是低的写周期。
    10.如果
    CE
    云同时高
    WE
    高，输出遗体
    在高阻抗状态。
    11.写周期时间是从最后一个有效地址测到第一
    转换地址。
    12.转变是从稳态电压前测量± 200mV的
    与指定加载改变在图1中，此参数
    采样，而不是100 ％测试。
    文档＃
    SRAM112
    REV A
    第12页5

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