P4C188/P4C188L
超高速16K ×4
静态CMOS RAMS
特点
全CMOS ， 6T细胞
高速（平等机会和循环时间）
- 10/12/15/20/25 NS （商业）
- 12/15/20/25/35 （工业）
- 15/20/25/35/45 NS （军事）
低功耗（商用/军用）
- 715 mW的主动 - 12/15
- 六百六十〇分之五百五十○毫瓦活动 - 20/25/35/45
- 二百二十○分之一百九十三mW的待机（ TTL输入）
- 110分之83 mW的待机（ CMOS输入） P4C188
- 15 mW的待机（ CMOS输入）
（ P4C188L军）
单5V ± 10 ％电源
数据保留与2.0V电源
（ P4C188L军）
三态输出
TTL / CMOS兼容输出
充分TTL兼容输入
标准引脚（ JEDEC批准）
- 22引脚300密耳DIP
- 24引脚300密耳SOJ
- 22针290 X 490万股LCC
描述
该P4C188和P4C188L是65,536位超高速
组织为16K X 4， CMOS存储器静态RAM
不需要时钟或清新，有平等的机会和
周期时间。输入和输出完全兼容TTL 。
公羊用单5V ± 10 ％容差功率运行
供应量。带备用电池，数据完整性被保持
电源电压下降到2.0V 。漏电流通常为10
μA从一个2.0V电源。
存取时间快10纳秒是可用的，
允许大大提高系统速度。 CMOS是
用于降低功耗低715mW
活跃， 193mW的待机只有5毫瓦的P4C188L
版本。
该P4C188和P4C188L是22针300万可用
DIP ， 24引脚300密耳SOJ和22引脚LCC封装provid-
荷兰国际集团优良的板级密度。
功能框图
销刀豆网络gurations
DIP （P3 ，D3， C3）的
LCC （ L3）的
对于SOJ引脚配置，请参阅数据表的末尾。
文档＃
SRAM112
REV A
1
修订后的2005年10月
PYRAMID [ PYRAMID SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
