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    P4C198-12DI 参数 Datasheet PDF下载

    P4C198-12DI图片预览
    型号： P4C198-12DI
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 超高速16K ×4的静态CMOS RAMS [ULTRA HIGH SPEED 16K x 4 STATIC CMOS RAMS]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 13 页 / 232 K
    品牌： PYRAMID [ PYRAMID SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
     浏览型号P4C198-12DI的Datasheet PDF文件第3页浏览型号P4C198-12DI的Datasheet PDF文件第4页浏览型号P4C198-12DI的Datasheet PDF文件第5页浏览型号P4C198-12DI的Datasheet PDF文件第6页浏览型号P4C198-12DI的Datasheet PDF文件第8页浏览型号P4C198-12DI的Datasheet PDF文件第9页浏览型号P4C198-12DI的Datasheet PDF文件第10页浏览型号P4C198-12DI的Datasheet PDF文件第11页  
    P4C198 / 198L ， P4C198A / 198AL
    写周期2号（我们控制）
    (13,14)
    WE
    1520 08
    写周期NO 。 3 （ CE
    (12)
    控制）
    (13,14)
    CE
    注意事项：
    13.
    CE
    （ CE
    1
    ,
    CE
    2
    对于P4C198A / L）和
    WE
    必须为低电平写
    周期。
    14.
    OE
    为低电平的写周期。
    15.如果
    CE
    （ CE
    1
    or
    CE
    2
    对于P4C198A / L）同时进入高配
    WE
    高电平时，输出保持在高阻抗状态。
    16.写周期时间是从最后一个有效地址测到第一
    转换地址。
    文档＃
    SRAM113
    REV A
    分页： 13 7

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