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P4C198A-15LC 参数 Datasheet PDF下载

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型号: P4C198A-15LC
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内容描述: 超高速16K ×4的静态CMOS RAMS [ULTRA HIGH SPEED 16K x 4 STATIC CMOS RAMS]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器
文件页数/大小: 13 页 / 232 K
品牌: PYRAMID [ PYRAMID SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
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P4C198 / 198L , P4C198A / 198AL
真值表
P4C198/L
CE
H
L
L
L
WE
X
H
H
L
OE
X
H
L
X
模式
待机
输出禁止
产量
高Z
高Z
D
OUT
D
IN
P4C198A/L
CE
1
H
X
L
L
L
CE
2
X
H
L
L
L
WE
X
X
H
H
L
OE
X
X
H
L
X
模式
待机
待机
输出禁止
产量
高Z
高Z
高Z
D
OUT
D
IN
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入时序参考电平
输出时序参考电平
输出负载
GND到3.0V
3ns
1.5V
1.5V
参见图1和2
图1.输出负载
*包括范围和测试夹具。
注意:
因为P4C198 / L的超高速和P4C198A / L时,护理
测试这个设备时,必须采取;不适当的设置可能会导致
一个正常运作的一部分,被拒绝的错误。长高的电感
引线引起的供应反弹,必须避免使V
CC
接地层直接到接触手指。一个0.01μF高
图2.戴维南等效
V之间也需要频率电容器
CC
和地面。为了避免
信号反射,适当的终止必须使用;例如,一个50Ω
测试环境应终止为50Ω负载与1.73V
(戴维南电压)在比较器的输入,和一个116Ω电阻绝
可以使用串联的D
OUT
匹配166Ω (戴维南电阻) 。
文档#
SRAM113
REV A
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