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    P4C198-12JMB 参数 Datasheet PDF下载

    P4C198-12JMB图片预览
    型号： P4C198-12JMB
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 超高速16K ×4的静态CMOS RAMS [ULTRA HIGH SPEED 16K x 4 STATIC CMOS RAMS]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 13 页 / 232 K
    品牌： PYRAMID [ PYRAMID SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
     浏览型号P4C198-12JMB的Datasheet PDF文件第1页浏览型号P4C198-12JMB的Datasheet PDF文件第2页浏览型号P4C198-12JMB的Datasheet PDF文件第3页浏览型号P4C198-12JMB的Datasheet PDF文件第4页浏览型号P4C198-12JMB的Datasheet PDF文件第6页浏览型号P4C198-12JMB的Datasheet PDF文件第7页浏览型号P4C198-12JMB的Datasheet PDF文件第8页浏览型号P4C198-12JMB的Datasheet PDF文件第9页  
    P4C198 / 198L ， P4C198A / 198AL
    读周期NO 。 2 （地址控制）
    (5,6)
    读周期NO 。 3 （ CE
    (12)
    控制）
    (5,7,8)
    CE
    注意事项：
    6.
    CE
    （ CE
    1
    CE
    2
    对于P4C198A / L）和
    OE
    是低读周期。
    7.
    OE
    是低的周期。
    8.地址必须是有效之前，或暗合
    CE
    （ CE
    1
    和
    CE
    2
    对于P4C198A / L）变为低电平。
    9.转变是从稳态电压测量± 200mV的
    之前改变，同时装载如在图1中指定。
    10.读周期时间是从最后一个有效地址的测定
    到第一过渡地址。
    造成芯片使能控制11.转换也有类似的
    延误，不论是否
    CE
    1
    or
    CE
    2
    导致他们
    (P4C198A/L).
    12.
    CE
    1
    ,
    CE
    2
    对于P4C198A /升。
    文档＃
    SRAM113
    REV A
    第13个5

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