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P4C198-20JI 参数 Datasheet PDF下载

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型号: P4C198-20JI
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内容描述: 超高速16K ×4的静态CMOS RAMS [ULTRA HIGH SPEED 16K x 4 STATIC CMOS RAMS]
分类和应用:
文件页数/大小: 13 页 / 232 K
品牌: PYRAMID [ PYRAMID SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
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P4C198 / P4C198L , P4C198A / P4C198AL
超高速16K ×4
静态CMOS RAMS
特点
全CMOS , 6T细胞
高速(平等机会和循环时间)
- 10/12/15/20/25 NS (商业)
- 12/15/20/25/35 NS (工业)
- 15/20/25/35/45 NS (军事)
低功耗工作(商用/军用)
5V ±10 %电源
数据保留, 10
µA
在2.0V的典型电流
P4C198L / 198AL (军事)
输出使能&芯片使能控制功能
- 单芯片使能P4C198
- 双芯片使能P4C198A
常见的输入和输出
充分TTL兼容输入和输出
标准引脚( JEDEC批准)
- 24引脚300密耳DIP
- 24引脚300密耳SOJ
- 28引脚350× 550密耳LCC
描述
该P4C198 / L和P4C198A / L的65,536位超高端
组织为16K X 4.每个设备的速度静态RAM
酒店设有一个低电平有效输出使能控制,以消除
数据总线争。该P4C198 / L也有积极的
小芯片使能(在P4C198A / L有两个芯片使,
既便于系统的扩展低电平有效) 。该CMOS
回忆不需要时钟或清新,有平等的
访问时间和周期时间。输入是完全TTL兼容。
公羊用单5V ± 10 %容差操作
电源。数据的完整性是维持供应
电压下降到2.0V 。漏电流通常为10
µA
从一个2.0V电源。
存取时间快12纳秒是可用的,
允许大大提高了系统的运行速度。
CMOS用于减少功耗的低715
毫瓦活跃, 193 mW的待机。
该P4C198 / L和P4C198A / L的24引脚可用
300万DIP和SOJ ,以及28引脚350× 550密耳LCC
封装提供卓越的板级密度。
功能框图
销刀豆网络gurations
DIP (P4 ,C4, D4) ,
SOJ ( J4 )
P4C198 ( P4C198A )
LCC ( L5)的
P4C198 ( P4C198A )
文档#
SRAM113
REV A
1
修订后的2005年10月