P4C422
功能说明
一个低电平有效写使能（ WE）控制写入/
读存储器的操作。当芯片选择
1 （ CS
1
）和写使能（WE ）是低电平，芯片
选择两个（ CS
2
）为高电平时，数据输入的信息
(D
0
到D
3
）写入到被寻址的存储器字
和前提条件的输出电路，使真正的数据是
出现在输出的时候写周期完成。
这个预处理操作确保最低写入
恢复时间，消除了“写恢复故障”。
阅读与芯片SELCT之一执行（ CS
1
）低，芯片
选择两个（ CS
2
）高，写使能（ WE）和高
输出使能（OE ）为低电平。存储在所述信息
寻址的字被读出的同相输出端
(O
0
到O
3
） 。存储器的输出去的
不活动的高阻抗状态时的片选1
（ CS
1
）为高，或写操作时，写入时
使能（WE ）是低电压。
真值表
模式
待机
待机
D
OUT
残
读
写
CS
2
L
X
H
H
H
CS
1
X
H
L
L
L
WE
X
X
X
H
L
OE
X
X
H
L
X
产量
高Z
高Z
高Z
D
OUT
高Z
注意事项：
H
L
X
高Z
=高
= LOW
=不关心
=隐含输出被禁用或关闭。这种情况
被定义为高阻抗状态
P4C422.
AC电气特性 - 读周期
(V
CC
= 5V ±10 ％ ，除非另有说明，所有温度范围）
(2)
符号。
t
RC
t
ACS
t
ZRCS
t
AOS
t
ZROS
t
AA
参数
读周期时间
(5)
片选时间
(5)
片选到高阻
(6)
输出使能时间
输出使能到高阻
(6)
地址访问时间
(5)
-10*
12
7.5
8
7.5
8
10
-12
-15
15
8
8
12
8
12
15
-20
20
12
15
12
15
20
-25
-35
35
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值
12
25
15
20
15
20
25
25
30
25
30
35
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
10
8
10
12
*V
CC
= 5V ± 5%
读周期的时序波形
文档＃
SRAM101
REV 。一
第10 3
PYRAMID [ PYRAMID SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
