P4C422
最大额定值
(1)
符号
V
CC
参数
电源引脚与
对于GND
与端电压
对于GND
（高达7.0V ）
工作温度
价值
- 0.5至+7
= 0.5〜
V
CC
+0.5
- 55〜 + 125
单位
V
符号
T
BIAS
T
英镑
I
OUT
参数
高温下
BIAS
储存温度
直流输出电流
价值
- 55〜 + 125
- 65 〜+ 150
20
单位
°C
°C
mA
V
TERM
T
A
V
°C
推荐工作条件
GRADE
(2)
广告
军事
环境温度
0 ° C至70℃
-55 ° C至125°C
GND
0V
0V
VCC
5.0V ±10%
5.0V ±10%
电容
(4)
(V
CC
= 5.0V ，T
A
= 25 ° C，F = 1.0MHz的）
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
典型的条件。单位
V
IN
= 0V
5
7
pF
pF
输出电容V
OUT
= 0V
DC电气特性
在推荐运行温度和电源电压
(2)
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
CL
I
IX
I
OZ
I
OS
参数
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入钳位二极管电压
输入负载电流
输出电流（高阻）
输出短路
当前
(3)
测试条件
I
OH
= -5.2毫安，V
CC
= Min.2.4
I
OL
= 8毫安，V
CC
=最小值。
P4C422
民
最大
V
0.4
2.1
0.8
单位
V
V
V
V
µA
µA
mA
I
IN
= -10毫安
GND
≤
V
IN
≤
V
CC
V
OL
≤
V
OUT
≤
V
OH
，输出禁用
V
CC
=最大，V
OUT
= GND
–1.5
–10
–10
10
10
90
功耗特性VS. SPEED
符号
I
CC
参数
动态工作电流
温度
范围
广告
军事
-10
90
不适用
-12
90
不适用
-15
90
90
-20
90
90
-25
65
90
-35
65
90
单位
mA
mA
注意事项：
1.强调大于下最大额定值可能
对器件造成永久性损坏。这是一个额定值
该器件在这些或任何其它的条件和功能操作
超出本规范的业务部门所标明
是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，其
期间可能会影响其可靠性。
保证400每线性英尺2.扩展的工作温度
分钟的空气流。
3.用于测试目的，而不是一个以上的输出的时间应该是
短路。短路测试持续时间不应超过30秒。
4.这个参数进行采样，而不是100 ％测试。
5.过渡时间
≤
为3ns为10，12，和15纳秒的产品和
≤
为5ns的
20 ，25和35纳秒的产品，参见图1d中。时序参考输入端
和输出1.5V的电平。输出负载等效于
指定I
OL
/I
OH
用15 pF的（10， 12）或30 pF左右的负载电容（15，
20，25， 35），如在图分别1a和1b 。
6.过渡时间
≤
为3ns为10，12，和15纳秒的产品和
≤
为5ns的
20 ，25和35纳秒的产品，参见图1d中。过渡处测量
稳态高电平-500mV或稳态低电平+ 500mV的
来自于输入与负载于图中所示的电平的输出。 1C 。
7. t
W
测定在T
WSA
=分钟;吨
WSA
测定在T
W
=最小值。
文档＃
SRAM101
REV 。一
第10 2
PYRAMID [ PYRAMID SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
