欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

P4C422-25PM 参数 Datasheet PDF下载

P4C422-25PM图片预览
型号: P4C422-25PM
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: HIGH SPEED 256 ×4的静态CMOS RAM [HIGH SPEED 256 x 4 STATIC CMOS RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 10 页 / 208 K
品牌: PYRAMID [ PYRAMID SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
 浏览型号P4C422-25PM的Datasheet PDF文件第1页浏览型号P4C422-25PM的Datasheet PDF文件第2页浏览型号P4C422-25PM的Datasheet PDF文件第3页浏览型号P4C422-25PM的Datasheet PDF文件第5页浏览型号P4C422-25PM的Datasheet PDF文件第6页浏览型号P4C422-25PM的Datasheet PDF文件第7页浏览型号P4C422-25PM的Datasheet PDF文件第8页浏览型号P4C422-25PM的Datasheet PDF文件第9页  
P4C422
交流特性 - 写周期
(V
CC
= 5V ±10 % ,除非另有说明,所有温度范围)
(2)
符号。
t
WC
t
ZWS
t
WR
t
W
t
WSD
t
WHD
t
WSA
t
WHA
t
WSCS
t
WHCS
参数
写周期时间
(5)
写使能到高阻
(6)
写恢复时间
把脉冲宽度
(5,7)
数据建立时间之前写
(5)
数据保持时间
(5)
地址建立时间
(5,7)
地址保持时间
(5)
片选建立时间
(5)
芯片选择保持时间
(5)
8
-10*
10
8
8
9
0
2
0
2
0
2
12
-12
15
10
10
11
0
2
0
4
0
2
-15
-20
20
-25
25
35
20
20
15
5
5
5
5
5
5
20
5
5
5
5
5
5
-35
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值
12
12
13
2
5
2
5
2
5
15
15
30
25
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
0
2
0
2
0
2
*V
CC
= 5V ± 5%
写周期时序波形
文档#
SRAM101
REV 。一
第10 4