P93U422
功能说明
一个低电平有效写使能（ WE）控制写入/
读存储器的操作。当片选1
（ CS
1
）和写使能（WE ）是低电平，芯片选择2
（ CS
2
）为高电平时，数据输入的信息（D
0
通过
D
3
）写入到被寻址的存储器字和
前提条件输出电路，使真正的数据是
出现在输出的时候写周期完成。
这个预处理操作确保最低写入
恢复时间，消除了“写恢复故障”。
阅读与芯片SELCT之一执行（ CS
1
）低，芯片
选择两个（ CS
2
）高，写使能（ WE）和高
输出使能（OE ）为低电平。存储在所述信息
寻址的字被读出的同相输出端
(O
0
到O
3
） 。存储器的输出去的
不活动的高阻抗状态时的片选1
（ CS
1
）为高，或写操作时，写入时
使能（WE ）是低电压。
真值表
模式
待机
待机
D
OUT
残
读
写
CS
2
L
X
H
H
H
CS
1
X
H
L
L
L
WE
X
X
X
H
L
OE
X
X
H
L
X
产量
高Z
高Z
高Z
D
OUT
高Z
H = HIGH
L =低
X =不关心
高Z =隐含输出被禁用或关闭。这
条件定义为高阻抗状态
为P93U422 。
注意事项：
开关特性（ 5,6 ）
在整个工作范围（商业和军事）
参数
t
PLH(A)(7)
t
PLH(A)(7)
t
PZH
（ CS
1,
CS
2
)
(8)
t
PZL
（ CS
1,
CS
2
)
(8)
t
PZH
（WE）
(8)
t
PZL
（WE）
(8)
t
PZH
（ OE）的
(8)
t
PZL
（ OE）的
(8)
描述
延迟从地址到输出（地址访问时间）（参见图2 ）
延迟从片选到输出有效和正确的数据（参见图2 ）
从写入延迟启用至输出有效和正确的数据（写恢复）
（参见图1）
从输出延迟启用到输出有效和正确的数据（参见图2 ）
建立时间地址（之前写的启动）（参见图1 ）
保持时间地址（写入终止后）（参见图1 ）
建立时间数据输入（之前写的启动）（参见图1 ）
保持时间数据输入（终端写入后）（参见图1 ）
建立时间芯片选择（之前写的启动）（参见图1 ）
保持时间片选（写终止后）（参见图1 ）
最小写使能脉冲宽度（基础确保写入） （参见图1）的
延迟从芯片选择到未激活输出（高Z） （参见图2 ）
从写使能为无效输出（高阻）延迟（参见图1 ）
从输出延迟启用以未激活输出（高Z） （参见图2 ）
P93U422
分钟。马克斯。
35
25
25
25
5
5
5
5
5
5
20
30
30
30
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
S
(A)
t
h
(A)
t
S
（ DI）的
t
h
（ DI）的
t
S
（ CS
1,
CS
2
)
t
h
（ CS
1,
CS
2
)
t
pw
(
WE
)
t
PHZ
（ CS
1,
CS
2
)
(8)
t
PLZ
（ CS
1,
CS
2
)
(8)
t
PHZ
（WE）
(8)
t
PLZ
（WE）
(8)
t
PHZ
（ OE）的
(8)
t
PLZ
（ OE）的
(8)
文档＃
SRAM102
REV A
第10 3
PYRAMID [ PYRAMID SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
