PACE1753
AC电气特性
(V
CC
= 4.5V)
20兆赫
符号
TD / I （ EXT ADR ）
V
参数
MMU缓存命中
民
最大
25
25
25
35
25
30
25
25
25
25
35
35
35
35
30
30
34
50
25
25
25
50
40
45
25
32
30MHz
民
最大
23
20
20
30
20
25
20
20
22
20
25
25
25
25
25
28
30
45
20
22
22
45
35
35
20
30
40 MHZ
民
最大
23
16
19
25
12
23
12
12
18
16
18
18
18
18
17
25
25
40
16
18
18
40
30
30
20
23
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
TSTRBD （ EXT
ADR ERR ）
L
外部地址错误
TC （ IBD CORR ）
IBD
V
（星ERR ）
H
TC （星ERR ）
L
tIBD
V
（ EDC GEN ）
V
TSTRBD （ EX RDY ）
L
TC （ EX RDY ）
H
TC （ WR
PROT ）
L
tSTRBD
H
（ WR
PROT ）
H
TC （ GNT1 ）
H
TC （批准0 ）
L
TC （批准0 ）
H
TC （ GNT1 ）
L
TC （ RDYA ）
TFC （ IB OUT ）
V
tIBD
IN
（MEM
PAR ERR ）
TC （ MEM
PRT ERR ）
TSTRBD （ WR
PROT ）
TC （ WR
PROT ）
L
tSTRBD
H
（ WR
PROT ）
H
TD / I （ PROT FLAG ）
TD / I （ PROT FLAG ）
TC （ PROT FLAG ）
TC （ PROT FLAG ）
TC （ EXT ADR ）
纠错读周期
纠错读周期
纠错读周期
EDAC和奇偶校验写入周期
MMU缓存小姐
MMU缓存小姐
MMU缓存小姐
MMU缓存小姐
仲裁者低到高优先级
仲裁者低到高优先级
仲裁者高到低优先级
仲裁者高到低优先级
地址就绪
时钟到IB输出有效（ I / O读）
奇偶模式
内存保护错误
写保护高速缓存命中
写保护缓存小姐
写保护缓存小姐
高速缓存命中（ BPU保护错误）
高速缓存命中（ MMU键锁定错误）
高速缓存未命中（ BPU保护错误）
高速缓存命中（ MMU键锁定错误）
时钟EXT ADR有效（小姐）
注意事项：
1. 4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V ， -55
≤
T
C
≤
+ 125°C 。除非另有说明，测试的进行，在最坏的情况下。
2. V
IL
= -3.0V为脉冲宽度小于或等于20ns的。
短期3.时间不应超过一秒钟;只有一个输出可以在一个时间被短路。
4.脉冲宽度
WR PROT / PROT
FLAG应
≥
80％的
STRBD
脉冲宽度。
文档＃
MICRO-4
修订版D
第21 4
PYRAMID [ PYRAMID SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
