HYB18M512160BFX
512-Mbit DDR Mobile-RAM
Overview
Table 3
Type
1)
Ordering Information
Package
Description
133 MHz 4 Banks
×
8 Mbit
×
16 Low Power DDR SDRAM
Commercial Temperature Range
HYB18M512160BFX-7.5 P-VFBGA-60-1
1) HYB: Designator for memory products (HYB: standard temp. range)
18M: 1.8V DDR Mobile-RAM
512: 512 MBit density
160: 16 bit interface width
B: die revision
F: green product
-7.5: speed grades (min. clock cycle time)
1.2
Pin Configuration
1
2
DQ15
DQ13
DQ11
DQ9
UDQS
UDM
CK
A11
A7
A4
3
7
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
8
DQ0
DQ2
DQ4
DQ6
LDQS
LDM
CAS
BA0
A0
A3
9
V
SS
V
DDQ
V
SSQ
V
DDQ
V
SSQ
V
SS
CKE
A9
A6
V
SSQ
DQ14
DQ12
DQ10
DQ8
NC
CK
A12
A8
A5
V
DDQ
DQ1
DQ3
DQ5
DQ7
NC
WE
CS
A10/AP
A2
V
DD
V
SSQ
V
DDQ
V
SSQ
V
DDQ
V
DD
RAS
BA1
A1
V
SS
V
DD
Figure 1
Standard Ballout 512-Mbit DDR Mobile-RAM (Top View)
Data Sheet
7
Rev. 1.10, 2006-11
04052006-4SYQ-ZRN3
QIMONDA [ QIMONDA AG ]
