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HYB18L256160BFL-7.5 参数 Datasheet PDF下载

HYB18L256160BFL-7.5图片预览

型号：	HYB18L256160BFL-7.5
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	DRAM的移动应用256兆移动-RAM [DRAMs for Mobile Applications 256-Mbit Mobile-RAM]
分类和应用：	动态存储器
文件页数/大小：	58 页 / 2617 K
品牌：	QIMONDA [ QIMONDA AG ]

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数据表

HY[B/E]18L256160B[C/F]L-7.5

256兆位移动-RAM

1.3

描述

在HY [B / E] 18L256160B [C / F] L的特别是对于设计

移动应用程序。它采用1.8 V电源。

功率消耗在自刷新模式时是显着

减少了片上温度传感器（ OCTS ） ;它可以

进一步通过使用可编程的部分阵列可以减少

自刷新（ PASR ）。

传统的数据保持掉电（ PD ）模式

可同时作为一个非数据保持深度掉电

（DPD）方式。

在HY [B / E] 18L256160B [C / F] L被安置在一个54 - P-球

VFBGA封装。它在商业（可用0

°C

+70

°C)

和扩展（ -25

°C

+85

°C)

温度范围。

在HY [B / E] 18L256160B [C / F] L是一个高速CMOS ，

含268435456动态随机存取存储器

位。它在内部配置为四银行DRAM 。

在HY [B / E] 18L256160B [C / F] L实现高速数据

通过采用芯片架构的传输速率是

预取多个位，然后输出同步

数据到系统时钟。读取和写入访问是突发

导向;存取开始在一个选定的位置，并继续

对的位置的程序号（1， 2 ，4，8或整页）

在一个编程序列。

该设备的操作是完全同步的：所有的输入都是

在CLK的上升沿注册。

图2

功能框图

牧师1.73 ， 2006-09

01302004-CZ2R-J9SE

5

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