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HYB18T512161BF-22 参数 Datasheet PDF下载

HYB18T512161BF-22图片预览

型号：	HYB18T512161BF-22
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内容描述：	512 - Mbit的X16 DDR2 SDRAM [512-Mbit x16 DDR2 SDRAM]
分类和应用：	内存集成电路动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小：	41 页 / 2261 K
品牌：	QIMONDA [ QIMONDA AG ]

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互联网数据表

HYB18T512161BF–20/22/25/28/33

512兆位双数据速率 - 双SDRAM的

1.2

描述

锁存的差分时钟的交叉点（CK上升沿和

CK下降）。所有I / O都具有单端同步

在源同步DQS或差分DQS ， DQS对

时尚。

一个15位的地址总线

×16

组件被用来传送

行，在RAS- CAS柱和银行地址信息

复风格。

自动刷新和自刷新模式以及提供

各种节能省电模式。

描述的功能性和时序规范

包括在这个数据表是的DLL启用模式

操作。

在DDR2 SDRAM中的P- TFBGA封装。

512 MB的DDR2 DRAM是一种高速双数据 -

含536,870,912位速率两个CMOS DRAM设备

而在内部配置为四银行DRAM 。 512 -MB

设备被组织为8兆比特

×

16 I / O

×

4银行芯片。这些

设备实现高速传输速率开始

400 MB /秒/针一般应用。

该设备被设计为符合所有DDR2 DRAM的关键

产品特点：

1.发布与CAS延迟时间相加，

2.写入延迟=读取延迟 - 1 ，

3.正常和实力弱的数据输出驱动器，

4.片外驱动器（ OCD ）阻抗调节

5.片上端接（ ODT ）的功能。

所有的控制和地址输入与同步

对外部提供的差分时钟。输入是

牧师1.43 ， 2006-11

03292006-L40N-L04G

4

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