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HY[B/I]18T1G[40/80/16]0B[C/F](L/V)
1千兆位双数据速率- SDRAM双
1
概观
本章提供了1千兆位双数据速率- SDRAM两个产品系列的概述，并介绍了其主要
的特点。
1.1
特点
1千兆位双数据速率SDRAM提供以下主要功能：
•片外驱动器阻抗调整（ OCD）和开 -
• 1.8 V
±
0.1 V电源
1.8 V
±
0.1 V（ SSTL_18 ）兼容的I / O
模端接（ ODT）为更好的信号质量
• DRAM的组织与/ 4 ， 8和16的数据输出
•自动预充电操作进行读取和写入突发
•双数据速率的架构：每两次数据传输
•自动刷新，自刷新和节能电源 -
时钟周期的四个内部银行的并发操作
断模式
•可编程CAS延时： 3 ，4，5和6中
•平均更新周期7.8
µs
在
T
例
低于
•可编程突发长度： 4和8
85 °C, 3.9
µs
在85 ℃和95 ℃下
•差分时钟输入（ CK和CK ）
•通过EMRS2设置可编程自刷新速率
•通过EMRS2设置可编程部分阵列刷新
•双向，差分数据选通（ DQS和DQS ）是
发送/接收的数据。与读取边缘对齐
• DCC通过EMRS2设置启用
•完整和强度降低数据输出驱动器
数据中心对齐与写入数据
• DLL对齐DQ和DQS转换时钟
• 1K页面大小
×4
＆放大器;
×8,
2K页大小
×16
•封装： P（ G） -TFBGA - 68 ， P（ G） -TFBGA -84
• DQS可以用于单端数据选通信号被禁止
手术
和PG - TFBGA -92
•符合RoHS标准的产品
1)
•进入每个时钟上升沿命令，数据和
数据掩码被引用到的DQS的两个边缘
•比DDR2-400快所有速度等级符合
时序DDR2-400规格的时钟速率下运行时，
•数据掩码（ DM ），用于写入数据
•中科院发布了可编程的附加延迟更好
的200兆赫。
指令和数据总线效率
表1
性能表为-2.5 （F ）
产品型号代码的运行速度
速度等级
马克斯。时钟频率
@CL6
@CL5
@CL4
@CL3
分钟。 RAS -CAS延迟
分钟。行预充电时间
分钟。行活动时间
分钟。行周期时间
–2.5F
DDR2-800D 5-5-5
–2.5
DDR2-800E 6-6-6
400
333
266
200
15
15
45
60
单位
—
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
ns
f
CK6
f
CK5
f
CK4
f
CK3
t
RCD
t
RP
t
RAS
t
RC
400
400
266
200
12.5
12.5
45
57.5
1 ）符合RoHS产品：使用某些有害物质指令（RoHS ）的电气和电子设备中限制的定义
在指令2002/95 /由27理事会，欧洲议会和2003年1月发行的这些物质包括汞EC ，
铅，镉，六价铬，多溴联苯和多溴联苯醚。
修订版1.3 ， 2007-07
03062006-ZNH8-HURV
3
QIMONDA [ QIMONDA AG ]
