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HYB18T512800BF 参数 Datasheet PDF下载

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型号: HYB18T512800BF
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内容描述: 240针全缓冲DDR2 SDRAM模组 [240-Pin Fully-Buffered DDR2 SDRAM Modules]
分类和应用: 动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小: 43 页 / 2219 K
品牌: QIMONDA [ QIMONDA AG ]
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互联网数据表
HYS72T[64/128/256][4/5][00/20]HFD–3S–B
1
1.1
概观
特点
•检测通道上的错误,并报告给主机
存储器控制器。
•自动DDR2 DRAM总线校准。
•自动通道校准。
•在DDR2的DRAM的完整主机控制。
•过温检测和报警。
•热添加式和热移除能力。
• MBIST和IBIST测试功能。
•透明模式的DRAM测试支持。
•低调: 133.35毫米X 30.35毫米
• 240引脚镀金卡连接器1.00 mm触点
中心( JEDEC标准待定) 。
•基于JEDEC标准参考卡设计(JEDEC
标准待定) 。
• SPD (串行存在检测) ,256字节串行
E
2
PROM.Performance :
•符合RoHS标准的产品
1)
本章介绍了240针全缓冲DDR2 SDRAM模组系列产品的主要特点。
• 240针全缓冲ECC双列直插式
DDR2 SDRAM模组的PC ,工作站和服务器
主存储器应用。
•模块组织一个等级64M
×
72,
一个等级128M
×
72 ,两列128M
×
72,
两列256M
×72
• JEDEC标准的双倍数据速率2
同步DRAM ( DDR2 SDRAM芯片)与1.8 V
( ±0.1 V )供电。
•内置了512MB的DDR2 SDRAM的60球FBGA
chipsize包。
•重新驱动和全地址,命令,时钟重新同步和
使用AMB (高级内存缓冲器)的数据信号。
•高速差分点至点链接的接口
1.5 V( JEDEC标准待定) 。
•主机接口和AMB组件行业标准
兼容的。
•支持SMBus协议接口,用于访问AMB
CON组fi guration寄存器。
表1
为DDR2-667的性能
产品型号代码的运行速度
速度等级
马克斯。时钟频率
@CL5
@CL4
@CL3
分钟。 RAS -CAS延迟
分钟。行预充电时间
分钟。行活动时间
分钟。行周期时间
–3S
PC2-5300 5-5-5
单位
兆赫
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
ns
f
CK5
f
CK4
f
CK3
t
RCD
t
RP
t
RAS
t
RC
333
266
200
15
15
45
60
1 )符合RoHS产品:使用某些有害物质指令(RoHS )的电气和电子设备中限制的定义
在指令2002/95 /由27理事会,欧洲议会和2003年1月发行的这些物质包括汞EC ,
铅,镉,六价铬,多溴联苯和多溴联苯醚。
修订版1.2 , 2006-02
09142006-Q5TN-B9NE
3