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    HYB18T512160AF-5 参数 Datasheet PDF下载

    HYB18T512160AF-5图片预览
    型号： HYB18T512160AF-5
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 512兆位双数据速率 - 双SDRAM的 [512-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM]
    分类和应用： 动态存储器
    文件页数/大小： 58 页 / 3023 K
    品牌： QIMONDA [ QIMONDA AG ]
     浏览型号HYB18T512160AF-5的Datasheet PDF文件第8页浏览型号HYB18T512160AF-5的Datasheet PDF文件第9页浏览型号HYB18T512160AF-5的Datasheet PDF文件第10页浏览型号HYB18T512160AF-5的Datasheet PDF文件第11页浏览型号HYB18T512160AF-5的Datasheet PDF文件第13页浏览型号HYB18T512160AF-5的Datasheet PDF文件第14页浏览型号HYB18T512160AF-5的Datasheet PDF文件第15页浏览型号HYB18T512160AF-5的Datasheet PDF文件第16页  
    互联网数据表
    HYB18T512[40/80/16]0AF(L)–[3/3S/3.7/5]
    512 - Mbit的DDR2 SDRAM
    2.1.1
    TFBGA球出图
    图1
    本章包含了TFBGA球出图。
    引脚CON组fi guration的
    ×
    4部件， PG- TFBGA -60 （顶视图）
    笔记
    1.
    V
    DDL
    和
    V
    SSDL
    在电源和接地的DLL。
    V
    DDL
    is
    连接到
    V
    DD
    上的设备。
    V
    DD
    ,
    V
    DDQ
    ,
    V
    SSDL
    ,
    V
    SS
    ,
    和
    V
    SSQ
    被隔离在设备上。
    2.球的位置L8是A13的512兆位和未连接
    256兆位
    牧师1.71 ， 2007-01
    03062006-CPCN-4867
    12

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