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HYS72T[128/256]00xHR–[3S/3.7/5]–A
注册DDR2 SDRAM模组
1.2
描述
通过寄存器设备的信号重新驱动的DIMM和
锁相环（PLL）的时钟分配。这降低了电容
加载到系统总线，但增加了一个周期到SDRAM
时序。去耦电容器被安装在PCB上
板。该功能的DIMM串行存在检测的基础上
串行ê
2
使用2针我PROM设备
2
C协议。第一
128字节被编程的配置数据和
128字节是提供给客户。
奇梦达HYS72T [ 128/256 ] 00xHR- [ 3S / 3.7 / 5 ] -A模块
家庭是注册的DIMM模块， 30.0毫米高
基于DDR2技术。 DIMM是作为ECC
在128M模块
×72
（ 1 GByte的）和256M
×72
（ 2 GByte的）
组织和密度，用于安装到240针
连接器插座。
存储器阵列的设计与1-Gb双数据速率 -
二（DDR2 ）同步DRAM中。所有的控制和地址
表2
对于符合RoHS的产品订货信息
产品类型
1)
PC2–5300
HYS72T256000HR–3S–A
PC2–4200
HYS72T256000HR–3.7–A
PC2–3200
HYS72T128001HR–5–A
HYS72T256000HR–5–A
1GB 1Rx8 PC2-3200R - 333-12 -F0
2GB 1Rx4 PC2-3200R - 333-11 -H0
1等级， ECC
1等级， ECC
1吉比特（ × 8 ）
1千兆位（ ×4）的
2GB 1Rx4 PC2-4200R - 444-11 -H0
1等级， ECC
1千兆位（ ×4）的
2GB 1Rx4 PC2-5300R - 444-11 -H0
1等级， ECC
1千兆位（ ×4）的
合规守则
2)
描述
SDRAM技术
1 ）所有产品类型结束与一个地方的代码，指定硅片版本。例如： HYS72T256000HR - 3.7 -A ，表示修订版“A”死亡
用于DDR2 SDRAM元件。对于所有的奇梦达DDR2模块和组件的命名看
本数据手册。
2 ）合规守则印在模块标签上，并描述了速度等级，如“ PC2-4200R - 444-11 - H0 ”，其中
4200R是指注册DIMM模块4.26 GB /秒的带宽模块和“ 444-11 ”，是指列地址选通（ CAS ）
延时= 4 ，行列延时（ RCD ）的延迟= 4，行预充电（ RP ）延迟= 4采用了最新的JEDEC SPD修订版1.1和
生产的原卡“ F”
表3
地址格式
DIMM
密度
1 GB
2 GB
模块
组织
128M
×72
256M
×72
内存
秩
1
1
ECC /
非ECC
ECC
ECC
＃的＃的SDRAM行/行/列
位
9
18
14/3/11
14/3/11
生
卡
A-F
C-H
修订版1.4 ， 2007-02
03062006-GD6J-14FP
4
QIMONDA [ QIMONDA AG ]
