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HYS64T[128/256]020EDL-[25F/2.5/3/3S/3.7]-C
SO -DIMM DDR2 SDRAM模组
1
概观
本章介绍了200针SO -DIMM DDR2 SDRAM模组产品系列的概述,并介绍了其主要
的特点。
1.1
特点
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
自动刷新的温度超过85°C
t
REFI
= 3.9 µs.
通过EMRS2设置可编程自刷新速率。
通过EMRS2设置可编程部分阵列刷新。
通过EMRS2设置DCC实现。
所有输入和输出SSTL_1.8兼容
片外驱动器阻抗调整( OCD)和片上
端接( ODT )
串行存在检测为E
2
舞会
SO- DIMM尺寸(标称):30毫米高,
67.6毫米宽
基于标准的参考布局生卡“ A”和
“F”
符合RoHS标准的产品
1)
• 200针PC2-6400 , PC2-5300和PC2-4200 DDR2
SDRAM内存模块。
• 128M
×
64, 256M
×
64模块的组织和64M
×
16
和128M
×
8片组织
•标准双倍数据速率 - 双同步DRAM
( DDR2 SDRAM ),采用单+ 1.8 V ( ± 0.1 V)电源
供应
• 1 GB和2 GB的内置模块与1-Gb的DDR2 SDRAM
在PG- TFBGA - 84和PG- TFBGA - 60封装chipsize
•比DDR2-400更快的所有速度等级符合
DDR2-400时序规范。
•可编程CAS潜伏期( 3 , 4,5和6 ) ,突发
长度( 8 & 4 )和突发类型
•自动刷新( CBR)和自刷新
表1
性能表
产品型号代码的运行速度
速度等级
马克斯。时钟频率
@CL6
@CL5
@CL4
@CL3
分钟。 RAS -CAS延迟
分钟。行预充电时间
分钟。行活动时间
分钟。行周期时间
–2.5F
PC2–6400
5–5–5
–2.5
PC2–6400
6–6–6
400
333
266
200
15
15
45
60
–3
PC2–5300
4–4–4
—
333
333
200
12
12
45
57
–3S
PC2–5300
5–5–5
—
333
266
200
15
15
45
60
–3.7
PC2–4200
4–4–4
—
266
266
200
15
15
45
60
单位
—
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
ns
f
CK6
f
CK5
f
CK4
f
CK3
t
RCD
t
RP
t
RAS
t
RC
400
400
266
200
12.5
12.5
45
57.5
1 )符合RoHS产品:使用某些有害物质指令(RoHS )的电气和电子设备中限制的定义
在指令2002/95 /由27理事会,欧洲议会和2003年1月发行的这些物质包括汞EC ,
铅,镉,六价铬,多溴联苯和多溴联苯醚。
1.0版, 2007-03
11212006-D34H-5W6Z
3