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HYS64T128020HU-5-B 参数 Datasheet PDF下载

HYS64T128020HU-5-B图片预览
型号: HYS64T128020HU-5-B
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内容描述: 240针无缓冲DDR2 SDRAM模组 [240-Pin unbuffered DDR2 SDRAM Modules]
分类和应用: 存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小: 87 页 / 5113 K
品牌: QIMONDA [ QIMONDA AG ]
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互联网数据表
HYS[64/72]T[32/64/128]xx0HU-[25F/2.5/3/3S/3.7/5]-B
无缓冲DDR2 SDRAM模组
1
概观
本章介绍了240针无缓冲DDR2 SDRAM模组产品系列的概述,并介绍了其主要
的特点。
1.1
特点
自动刷新( CBR)和自刷新
通过EMRS2设置可编程的自刷新率
通过EMRS2设置可编程部分阵列刷新
平均更新周期7.8
µs
T
低于
85 ℃下, 3.9μs之间85 ℃和95 ℃。
通过EMRS2设置DCC使
所有输入和输出SSTL_1.8兼容
片外驱动器阻抗调整( OCD)和
片上端接( ODT )
串行存在检测为E
2
舞会
UDIMM尺寸(标称) :
30毫米高, 133.35毫米宽
基于标准的参考布局生卡“ C” ,
“D” ,“E” , “F”和“G”的
符合RoHS标准的产品
1)
功能列表和性能表
• 240引脚PC2-6400 , PC2-5300 , PC2-4200和
PC2-3200 DDR2 SDRAM内存模块。
• 32M
×
64, 64M
×
64, 64M
×
72, 128M
×
64和128M
×72
模块的组织和32M
×
16, 64M
×
8芯片
组织
•标准双倍数据速率 - 双同步DRAM
( DDR2 SDRAM ),采用单+ 1.8 V ( ± 0.1 V)电源
供应
•内建512 - Mbit的256MB , 512MB和1GB模块
DDR2 SDRAM芯片的P- TFBGA - 84和P- TFBGA - 60
chipsize包
•比DDR2-400快所有速度等级符合
DDR2-400时序规范。
•可编程CAS潜伏期( 3 , 4和5 ) ,
突发长度( 8 & 4 )和突发类型
表1
性能表
产品型号代码的运行速度
速度等级
马克斯。时钟频率
@CL6
f
CK6
@CL5
f
CK5
@CL4
f
CK4
@CL3
f
CK3
分钟。 RAS -CAS延迟
分钟。行预充电时间
分钟。行活动时间
分钟。行周期时间
–25F
PC2–6400
5–5–5
400
400
266
200
12.5
12.5
45
57.5
–2.5
PC2–6400
6–6–6
400
333
266
200
15
15
45
60
–3
PC2–5300
4–4–4
333
333
200
12
12
45
57
–3S
PC2–5300
5–5–5
333
266
200
15
15
45
60
–3.7
PC2–4200
4–4–4
266
266
200
15
15
45
60
–5
PC2–3200
3–3–3
200
200
200
15
15
40
55
单位
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
ns
t
RCD
t
RP
t
RAS
t
RC
1 )符合RoHS产品:使用某些有害物质指令(RoHS )的电气和电子设备中限制的定义
在指令2002/95 /由27理事会,欧洲议会和2003年1月发行的这些物质包括汞EC ,
铅,镉,六价铬,多溴联苯和多溴联苯醚。
修订版1.3 , 2006-12
03292006-6GMD-RSFT
3