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HYS72T128000HR-3S-B 参数 Datasheet PDF下载

HYS72T128000HR-3S-B图片预览
型号: HYS72T128000HR-3S-B
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内容描述: 240引脚注册DDR2 SDRAM模组 [240-Pin Registered DDR2 SDRAM Modules]
分类和应用: 存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
文件页数/大小: 52 页 / 3034 K
品牌: QIMONDA [ QIMONDA AG ]
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互联网数据表
HYS72T[64/128/256]xxxHR–[3S/3.7/5]–B
240引脚注册DDR2 SDRAM
1
概观
本章给出了1.8 V 240引脚注册DDR2 SDRAM模组产品系列的概述,并介绍了其主要
的特点。
1.1
特点
通过EMRS2设置可编程的自刷新率
通过EMRS2设置可编程部分阵列刷新
通过EMRS2设置DCC使
所有输入和输出SSTL_18兼容
片外驱动器阻抗调整( OCD)和片上
端接( ODT )
串行存在检测为E
2
舞会
RDIMM尺寸(标称):30毫米高, 133.35毫米
WIDE
基于标准的参考卡的布局原卡“ A” ,
的“B” ,“C” ,“J”
所有速度等级的速度比DDR2-400符合
DDR2-400时序规范。
符合RoHS标准的产品
1)
• 240引脚PC2-5300 , PC2-4200和PC2-3200 DDR2
适用于PC ,工作站和服务器SDRAM内存模块
主存储器应用
•一个等级64M
×
72, 128M
×
72和两个行列
128M
×
72 , 256M X 72模块的组织和512M
×8,
512M
×
4芯片的组织
•标准双倍数据速率 - 双同步DRAM
( DDR2 SDRAM ),采用单+ 1.8 V ( ± 0.1 V)电源
供应
•内置有512兆的DDR2 SDRAM在P- TFBGA - 60
chipsize包。
•可编程CAS潜伏期( 3 , 4和5 ) ,突发长度
( 4 & 8 )和突发类型
•自动刷新( CBR)和自刷新
表1
性能表
产品型号代码的运行速度
速度等级
马克斯。时钟频率
@CL5
@CL4
@CL3
分钟。 RAS -CAS延迟
分钟。行预充电时间
分钟。行活动时间
分钟。行周期时间
–3S
PC2-5300 5-5-5
–3.7
–5
单位
PC2-4200 PC2-3200 4-4-4 3-3-3 -
266
266
200
15
15
45
60
200
200
200
15
15
40
55
兆赫
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
ns
f
CK5
f
CK4
f
CK3
t
RCD
t
RP
t
RAS
t
RC
333
266
200
15
15
45
60
1 )符合RoHS产品:使用某些有害物质指令(RoHS )的电气和电子设备中限制的定义
在指令2002/95 /由27理事会,欧洲议会和2003年1月发行的这些物质包括汞EC ,
铅,镉,六价铬,多溴联苯和多溴联苯醚。
修订版1.2 , 2007-01
03292006-JXZQ-CG6T
3