通用6 -PIN
PHOTODARLINGTON光耦合器
描述
该4N29 ， 4N30 ， 4N31 ， 4N32 ， 4N33有镓
砷化红外发射器光学耦合到硅
平面光电复合。
4N29
4N30
4N31
4N32
4N33
特点
•高灵敏度，低输入驱动电流
•符合或超过所有JEDEC规格注册
• VDE 0884认证可以作为一个测试选项
-add选项.300 。 （例如， 4N29.300 ）
概要
阳极1
6基地
应用
•
•
•
•
•
低功耗逻辑电路
电信设备
便携式电子产品
固态继电器
接口不同的潜能和阻抗耦合系统。
阴极2
5收藏家
N / C 3
4发射器
绝对最大额定值
参数
设备总
储存温度
工作温度
无铅焊锡温度
器件总功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
辐射源
连续正向电流
反向电压
(T
A
= 25°C除非另有规定。 ）
符号
T
英镑
T
OPR
T
SOL
P
D
I
F
V
R
I
F
（ PK）
P
D
BV
首席执行官
BV
CBO
BV
ECO
P
D
I
C
价值
-55到+150
-55到+100
260 ，持续10秒
250
3.3
80
3
3.0
150
2.0
30
30
5
150
2.0
150
单位
°C
°C
°C
mW
毫瓦/°C的
mA
V
A
mW
毫瓦/°C的
V
V
V
mW
毫瓦/°C的
mA
正向电流 - 峰值（ 300微秒， 2 ％占空比）
LED功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
探测器
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 集电极击穿电压
探测器功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
连续集电极电流
4/25/00
200038B
QT [ QT OPTOELECTRONICS ]
