宽体，高隔离度
光电耦合器
描述
该CNW82 ， CNW83 ， CNW84和CNW85光电耦合器组成
在一个GaAs红外发光二极管，其被光学耦合到的
NPN光电晶体管。
该CNW82和CNW84没有管脚的连接
增强抗干扰性。
6
1
6
1
概要
1
NC
6
特点
•宽体DIL封装，以10.16毫米的引脚间距。
•最小爬电距离10毫米。
•高电流传输比和低饱和电压，
制作适用于TTL综合运用设备
电路。
•高度的交流和直流绝缘（ 5900 V（ RMS ）和
8340 V（ DC ） ） 。
•发射极之间最少2毫米隔离厚度，
3
CNW82
CNW83
CNW84
CNW85
1
6
2
5
2
5
NC
4
探测器。 （ CNW84 / 85只） 。
•外部间隙0F 9.6毫米最低和外部
爬电距离为10mm最小。
•集电极 - 发射极击穿电压： （只CNW82 / 83 ） 50 V 。
•集电极 - 发射极击穿电压： （只CNW84 / 85 ）， 80伏。
• UL认证（文件号E90700 ）
CNW82/84
PIN 1.阳极
2.阴极
3.未连接
4.发射器
5.集热器
6.无连接
3
NC
4
CNW83/85
PIN 1.阳极
2.阴极
3.未连接
4.发射器
5.集热器
6.基地
绝对最大额定值
参数
辐射源
正向电流 - 连续
正向电流 - 峰值（ PW = 100μs的， 120pps ）
反向电压
总功率耗散@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
探测器
集电极电流连续
发射极 - 集电极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
总功率耗散@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
设备总
存储温度范围
工作温度范围
引线焊接温度
（ 1/16“的情况下， 10秒持续时间）
(CNW82/CNW83)
(CNW84/CNW85)
(CNW83)
(CNW85)
V
ECO
V
首席执行官
V
CBO
P
D
T
英镑
T
A
T
L
符号
I
F
I
F
（ PK）
V
R
P
D
I
C
价值
100
3
5
200
2.0
100
7
50
80
70
120
200
2.0
-55到150
-40至100
260
单位
mA
A
V
mW
毫瓦/°C的
mA
V
V
V
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
°C
1/18/00
200015A
QT [ QT OPTOELECTRONICS ]
