PHOTODARLINGTON光耦合器
描述
该CNX48U ， H11BX ， MOC8080和TIL113有
砷化镓红外发射器的光耦合到
硅平面光电复合。
CNX48U
H11B1
MOC8080 TIL113
H11B2
H11B255
H11B3
特点
•高灵敏度，低输入驱动电流
•符合或超过所有JEDEC规格注册
• VDE 0884认证可以作为一个测试选项
-add选项.300 。 （例如， H11B1.300 ）
6
1
6
1
阳极1
6基地
概要
应用
•
•
•
•
•
低功耗逻辑电路
6
电信设备
便携式电子产品
固态继电器
接口不同的潜能和阻抗耦合系统。
阴极2
5收藏家
1
N / C 3
4发射器
参数
设备总
储存温度
工作温度
无铅焊锡温度
器件总功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
辐射源
连续正向电流
反向电压
正向电流 - 峰值（ 300微秒， 2 ％占空比）
LED功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
探测器
符号
T
英镑
T
OPR
T
SOL
P
D
I
F
V
R
I
F
（ PK）
P
D
设备
所有
所有
所有
所有
所有
所有
所有
所有
CNX48U ， TIL113
H11B1 ， H11B2
价值
-55到+150
-55到+100
260 ，持续10秒
250
3.3
100
6
3.0
100
1.8
30
25
55
单位
°C
°C
°C
mW
毫瓦/°C的
mA
V
A
mW
毫瓦/°C的
集电极 - 发射极击穿电压
BV
首席执行官
H11B3
H11B255
MOC8080
CNX48U ， H11B1
H11B2 ， H11B3
V
30
V
集电极 - 基极击穿电压
BV
CBO
TIL113
H11B255
MOC8080
55
7
150
2.0
V
V
mW
毫瓦/°C的
发射极 - 集电极击穿电压
探测器功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
BV
ECO
P
D
所有
所有
6/1/00
200042A
QT [ QT OPTOELECTRONICS ]
