应该放在非常靠近器件的电源引脚。
如果没有这个电容的部分可以打入高频
振荡，让身体热，停止工作，或成为
损坏。
PCB清洁度：
所有电容传感器应被视为
这可以通过杂散的影响高度敏感的电路
导电泄漏路径。 QT器件具有一个基本的分辨率
在femtofarad范围内;在这一地区，有没有这样的东西
“不清洗助焊剂” 。磁通吸收水分并变成导通
焊点，导致信号漂移和由此产生的虚假的
检测灵敏度或暂时丧失。保形涂料
将陷在水分存在的数量，将随即成为
对温度十分敏感。
设计者应认真考虑超声波清洗的
部分的制造过程，以及在更极端的情况下，
清洗和烘干后用保形涂层。
极大量的非线性寄生电容
这将淹没电极和原因的电容
错误检测和其他形式的不稳定性。二极管兼任
射频检测器，并会造成严重的RF抗干扰问题。
3.4 EMC和相关噪声问题
对外交流领域（ EMI ），由于射频发射器或电
噪声源可能会导致错误检测或原因不明的转变
在灵敏度。
外部场的传感器上的影响被减少
在RSERIES来描述在3.2节。在CS
电容和RSERIES
（图1-1）
形成天然的低通
过滤传入的射频信号;这种滚降频率
网络是通过定义 -
F
R
=
2✜R
系列
C
s
1
3.3.1 S
UPPLY
C
光凭目前
测量平均耗电量是一项具有挑战性的任务
由于该设备的操作的突发性质。即使是一个很好的
质量的RMS数字万用表将难以跟踪的相对缓慢
爆率，并显示读数不稳定。
测量值独立的最简单的方法是把一个非常大的电容，
如2,700μF在电源引脚上，并把一个220欧姆
电阻从那里返回到电源。测量
跨越220电阻上的电压与数字万用表和计算
目前根据欧姆定律。该电路将会平均
目前，以提供更流畅的阅读。
以减少电流消耗最大，使用高或低
只有获得引脚设置，铯的最小值可能
作品，和一个470K电阻（RS）两端铯（图1-1）。 RS
作用，帮助排出电容Cs的脉冲串之间，其
存在显着减少功率消耗。
如果例如铯=值为22nF ，并RSERIES = 10千欧，滚降
频率EMI是723Hz ，比任何可信大大降低
外部噪声源（除主频率，即六十〇分之五十○
赫兹）。然而， RSERIES和Cs都必须放在非常接近
到IC的本体，以使导线在它们之间长度
和IC不形成在很高的未过滤的天线
频率。
印刷电路板布局，接地和输入电路的结构
有一个很大的影响设计的成功顶住
电磁场和相对无噪声。
这些设计规则应该坚持最佳的ESD和
EMC的结果：
1.只能使用贴片元件。
2.保持铯，卢比，再和Vdd旁路电容靠近IC 。
3.最大化回复到灵敏度不会受到影响的限制。
4.不要将电极及其连接迹附近
其他的痕迹，或靠近接地平面。
5.请使用下面及周围的QT110本身就是一个地平面，
返回到调节器和电源连接器（但不超过
在Cs电容） 。
6.不要将一只QT11x的电极（或其线路）
装置的另一装置的电极或布线附近，以
防止交叉干扰。
7.保持电极（及其接线）远离其他痕迹
在进行交流或交换信号。
8.如果有LED或LED导线的电极或其附近
布线（即在关键的背光源） ，绕过LED
接线到地在其两端上。
9.使用稳压只为QT110消除
噪声通过Vdd的其他开关源耦合。
确保稳压器的瞬态负载提供稳定
一个稳定的电压就在每个突发开始。
如需进一步提示施工， PCB设计和EMC问题
在浏览应用笔记和常见问题解答
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3.3.2 ESD P
ROTECTION
在将电极置于后面的电介质的情况下
面板， IC将受到保护，免受直接的静电放电。
然而，即使一个面板的瞬变仍然能够流入
电极通过感应或通过介电极端的情况下
击穿。多孔材料可允许的火花隧道右
通过该材料。测试需要发现任何
问题。该装置具有在其端子二极管保护
这将吸收和防止器件的ESD最
事件;内部夹紧的用处将随
上的介电性能，面板厚度，以及上升时间
在ESD瞬变。
可用的最好的方法来抑制ESD和RFI是
插入一个串联电阻再串联在电极如图
图1-1 。该值应是没有最大
影响传感器的性能。如果重新太高，的增益
传感器将减小。
因为QT110的充电和传输时间
相对长的（〜 2
µ
多个） ，该电路可以容忍的大值
再次，往往在大多数情况下大于10k的欧姆。
二极管或半导体瞬态保护装置或MOV的
在电极痕迹不建议;这些设备有
LQ
7
QT110 R1.04 / 0405
QUANTUM [ QUANTUM RESEARCH GROUP ]
