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QT114-D 参数 Datasheet PDF下载

QT114-D图片预览
型号: QT114-D
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内容描述: 电荷转移QLEVEL传感器IC [CHARGE-TRANSFER QLEVEL SENSOR IC]
分类和应用: 传感器
文件页数/大小: 12 页 / 309 K
品牌: QUANTUM [ QUANTUM RESEARCH GROUP ]
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图3-2
让心跳脉冲与下拉电阻
心跳™脉冲
图3-3
用微型获得HB脉冲两种输出状态
2
Ro
OUT1
SNS2
7
6
5
PORT_M.1
PORT_M.2
2
R
1
OUT1
SNS2
7
6
5
3
Ro
OUT2
SNS1
微处理器
PORT_M.3
PORT_M.4
3
R
2
OUT2
SNS1
4
4
FILT
POL
FILT
POL
机电设备将忽略此短脉冲。该
脉冲也有太低的占空比明显影响LED的。它
可以被完全过滤,如果需要的话,通过加入一个RC
timeconstant过滤输出,或者如果直接连接和
只对一个高阻抗CMOS输入,无为或
至多从每个用来增加一个小的非关键电容器
OUT线对地(图3-4) 。
在半导体瞬态保护装置或MOV的
铅意识不建议;这些器件具有极高
大量寄生的C这将淹没传感器。
RE2功能从QT110的Vcc的隔离瞬态
销;大约1K欧姆值是合理的。
如同所有的ESD保护网络,重要的是在
瞬变被引导离开电路。 PCB接地布局
关键;地面连接的二极管和C1应
都回去电源接地或最好,如果
可,一个机箱接地接地。电流
不应该被允许直接下穿过区
QT114.
如果QT114经由长连接到外部电路
电缆,它有可能为地面反射造成损害
在OUT引脚;即使瞬变导致远离
在QT114本身所连接的信号或电源接地线
将作为一个电感器,从而导致高的差分电压
相对于地面上的OUT线建立。如果这是一个
可能, OUT引脚应该有一个串联电阻
与它们在传感器电路板,以限制电流;该电阻
如可通过有关的负荷的耐受性应尽可能大。
3.4 ESD保护
在某些装置中的QT114将防止直接
静电放电通过将电极和所述的绝缘
门或
MICRO输入
CMOS
2
C
o
100pF
OUT1
SNS2
7
6
5
CMOS
3
4
OUT2
SNS1
100pF
C
o
FILT
POL
图3-4消除乙肝脉冲
事实,即所述探针可能不能访问到人体接触。
然而,即使使用探针保温,瞬变仍可流动
成经由感应电极,或者在极端的情况下通过,
介电击穿。有些运动流体(如油)和
粉末可以建立一个实质性的摩擦电荷
直接在探针表面。
该QT114确实有它的终端保护二极管
能够吸收和防止大多数的感应装置
放电,高达20mA ;内部的用处
夹紧将取决于探头绝缘的电介质
性质,厚度,和瞬变的上升时间。
防静电耗散可以用加二极管进一步资助
保护网络如图3-5所示。因为
充电和QT114的传输时间是比较长的,
该电路可以容忍Re 1还非常大的值,尽可能
50K欧姆,在大多数情况下,不影响收益。添加
如图二极管( 1N4150 , BAV99或同等低-C二极管)
将分流ESD瞬变远离一部分, Re 1还
将限流的其余部分进入QT110自己的内部钳位
二极管。 C1应约为10μF ,如果它是吸收正
从人体模型的观点来看瞬变而不
超过1伏的价值不断提升。如果需要C1可
用合适的齐纳二极管代替。直接将
3.5采样电容
负责采样CS应稳定级电容,
像PPS膜,NPO陶瓷,或聚碳酸酯。该
可接受的Cs的范围是10nF的至100nF的任何地方
( 0.1uF的)和其所需的值将依赖于负载Cx的。在
某些情况下,实现了“正确”的值,两个或两个以上
电容可能需要在平行于接线。
VCC
1
2 OUT1
3 OUT2
4 FILT
SNS2 7
SNS1 6
POL 5
8 GND
C
S
Re
2
Re
1
C
1
10
F
到电极
图3-5 ESD防护网
-8-