如果电源与另一个电子系统共享，
应当小心以保证供应是自由的
尖峰，突降和浪涌。在BG1模式QT310将跟踪
缓慢变化的VDD如果漂移补偿有效，但它
可以通过快速电压的步骤和尖峰的不利影响
在毫伏级。
如果需要，该电源可以使用常规的调节
低电流稳压器，例如CMOS LDO稳压器
低静态电流，或标准78Lxx系列三端
监管机构。
对于正确的操作一个100nF （ 0.1uF的）陶瓷旁路
电容器必须在Vdd和Vss之间使用;旁路
帽应该放在非常接近VDD和VSS引脚。
VDD
100
nF
8
VDD
RE3
RE4
RE5
1
2
6
CAL
OUT
7
3
5
RE2
RE1
传感器
CS
SYNC_O SNS1
SYNC_I SNS2
VSS
4
3.3 PCB LAYOUT
3.3.1 G
圆
P
车道
设备周围使用接地层的鼓励
对于噪音的原因，但地面不应再加太近
到读出销，以减少Cx的负荷。同样地，所述
从痕迹的检测引脚导致电极不应该
被直接放置在接地平面;而，接地
平面应的至少3倍的宽度被解除
感应线路直辖，定期瘦桥过
差距提供接地连续性。
图3-1 ESD / EMC保护电阻
介电性能，面板厚度，以及上升时间
ESD瞬变。
ESD保护可与一个附加的电阻RE1来增强
（图3-1） 。随着传送时间为〜 833ns ，该电路能
容忍中的一个RC timeconstant其导致RE1的值
1 / 6本金额或约140ns 。钢筋混凝土的'C'是对CX
负载。因此，对于Cx的= 20pF的， RE1的最大应
6.8K欧姆。更大的量RE1或Cx的，可能会导致
明显减少增益。
3.3.2 C
LONE
P
ORT
C
ONNECTO
R
如果克隆的连接器被使用时，将此接近QT310 。
从QT310远配售克隆连接器将增加
负载电容的传感器线的Cx的SNS1和
降低灵敏度。在这些线路上也可以长距离
使克隆过程中更容易的通信
错误的振荡和干扰。
如果SYNC_I输入时，一个10K欧姆的电阻应
用于避免与在克隆过程（图4-1）的冲突。
克隆可被设计为生产用焊盘（SMT
或通孔），在焊接侧被连接到一个
通过弹簧夹具ATE式“ POGO针” 。这消除
需要一种实际的连接器，以节省成本。
重要注意事项：
由于SCK是在SNS1引脚共享，这是
可能的杂散外部磁场可能导致这些设备对
进入复制模式意外。如果接线长或大
电极所使用的可以拿起干扰，安装一个
从SNS1 470K电阻到地压制皮卡。如果
器件进入克隆模式一不小心，就可能有必要
循环发电回收设备。
3.5 EMC问题
电磁型和静电型敏感性常常是
问题与电容式传感器。在这些QT310行为
条件可以通过添加RE1 （图3-1）得到改善，
正是因为对ESD保护。电阻器应放置
旁边的芯片。
这工作，因为入RC网络由RE1形成
和Cs具有非常低的截止频率可以是
计算由下式：
Fc
=
1
2✜ RC-S
如果R = 6.8K和Cs = 10nF的，那么FC = 2,340赫兹。
这导致了外部磁场的影响很强烈抑制。
然而，它始终是明智的通过，以减少导线长度
放置QT310尽可能靠近电极成为可能。
SDI
GND
SDO
SCK
3.4 ESD问题
在将电极置于后面的电介质的情况下
面板，该设备通常会被很好地保护免受静电
放电。然而，即使是用塑料或玻璃面板
瞬变仍然可以经由感应流入电极，或在
极端的情况下，通过电介质击穿。多孔材料
可允许的火花隧道的权利，通过材料;部分
在进行像'粉红聚“材料防静电塑料
将进行ESD权的电极。面板接缝能
许可证排出通过边缘或裂缝。
试验是必需的，以发现任何问题。该QT310具有
内部保护二极管，可吸收和保护
设备从最引起放电，高达20mA ;该
内部夹紧的效用将取决于
VDD
100nF
8
VDD
1
/
CAL
2
/
SYNC_O
6
/
SYNC_I
SDO
SNS 2
SYNC_O
/
SCK
5
CS
CAL
/
SDI
3
传感器
7
OUT
VSS
4
图4-1克隆接口接线
LQ
12
QT310 / R1.03 03年9月21日
QUANTUM [ QUANTUM RESEARCH GROUP ]
