在这前两个连续的字节
数组保存设置数据按钮
X1 / Y1 ，接下来的两个字节保存数据
对于按钮X2 / Y1等。的增益是
在第一个字节保持（在较低的
地址），并在所述阈值
第二个字节。
按钮存储器地址是
如下计算对于给定的键：
乘法（x -1）乘以2来获得M
所以，如果该键是上X6中，M = （6-1） ×2
= 10 （十进制） 。
表3-3 “E”命令错误代码响应
位＃
字节＃
1
2
3
4
X8/Y1
X8/Y2
X8/Y3
X8/Y4
X7/Y1
X7/Y2
X7/Y3
X7/Y4
X6/Y1
X6/Y2
X6/Y3
X6/Y4
X5/Y1
X5/Y2
X5/Y3
X5/Y4
X4/Y1
X4/Y2
X4/Y3
X4/Y4
X3/Y1
X3/Y2
X3/Y3
X3/Y4
X2/Y1
X2/Y2
X2/Y3
X2/Y4
X1/Y1
X1/Y2
X1/Y3
X1/Y4
7
6
5
4
3
2
1
0
3.2.10 “卵圆'C
OMMAND
- U
SER
P
ORT
W
RITE
（十六进制代码0x4F v）将值' V' ，一个8位二进制字节，
到QT60320的8个输出端口引脚01 ... O8 。
这个功能可以通过使用外部缓冲器驱动LED的，
一自激振荡声发声器或其他外围设备。
它甚至可以被用于与该“I”命令
（下图）来扫描一组外部机电键（向上
32个交换机，例如在一个8x4的矩阵）面板附近。
乘法（Y- 1）次16至得到N个
因此，如果该键是Y3 ， N = （ 3-1 ） * 16 = 32 （十进制） 。
加入M + N + 100获得第一两个内存
地址键。
例如：位于X4的关键， Y3将有它的基础
在解决：
（4-1） * 2 + （3-1） * 16 + 100 = 32 + 6 + 100 = 138 （十进制）
第一个字节，在地址138十进制是增益，而
解决139具有阈值X4 / Y3 。在必须解决
发送成一个二进制数（打包成8比特，即0x8a和
0x8b在这个例子中） ，而不是作为ASCII字符串'1 3 8' 。
该QT60320报告背部采用了单一的二进制字节
包含所请求的数据。
3.2.11 '我'C
OMMAND
- U
SER
P
ORT
R
EAD
（十六进制码0x49 ）使QT60320返回二进制
从端口引脚I1 ... I4字节。该值在返回的
返回字节的低四位（位0,1,2,3 ） 。高4位
被保持在零。
4 - 电路设计原则
4.1电源， PCB LAYOUT
该电源应该是5.0伏特+/- 10 ％ 。这可以是
由一个共同的78L05三端稳压器提供的。 LDO型
监管机构通常是罚款，但可以从短暂的穷人受苦
负载响应;这将导致不稳定的关键行为。
如果电源与另一个电子系统共享，
应当小心以保证供应是自由的
数字尖峰，突降和浪涌可产生不利影响
的电路。该QT60320将跟踪Vcc的缓慢变化，但它
可以通过快速电压的步骤和冲动的不利影响
噪声在电源轨。
3.2.7 EEPROM ř
EAD
A
CCESS VIA
/ EA
因此能够使用该QT60320内部的EEPROM的一部分作为
“用户存储” 。该功能可消除的
与主机MCU相关的独立的EEPROM ，减少
系统的成本。该QT60320有86个字节的备用的EEPROM
可用于任何函数的任何用户。该
eeprom的可以读取和使用相同/ EA写入和
/用于检查和写入键设置EAV的命令。
EEPROM的第一个字节的地址为170 （十进制）
并且可以通过命令字符串读取/ EA ，其中'A'是
二进制字节170 （和0xAA ） 。的最高位置是在255 （ 0xff的） 。
3.2.8 “ / EAV 'C
OMMAND
- S
ETTINGS
W
RITE
（十六进制码值为0x2F ×45 A V ）允许的增益和阈值
要写入的设置的按钮。 “A”是一个单一的二进制字节
指定的地址和和'v'是一个单一的二进制字节值
将要写入的数据。
的地址被计算以相同的方式对这些
对于上面的/ EA命令。
需要注意的是，即使一个键意志的增益值的变化
导致E6S3重新校准所有的键。
4.2采样电容
负责采样铯应该是PPS薄膜或NPO陶瓷
键入最佳的稳定性。接受铯值的范围从1nF的
为50nF 。较低的值会增加电路的增益，因此
按键的灵敏度;较低的值也作用以减少所需的
突发长度为代价给定的所需灵敏度
降低固有的信号平均。
4.3 C
Z
电容器
两个锆石电容器应该具有的4 ％的值，以6％的
铯CZ1 + CZ2的总价值。的目的是允许
建立在Cs的一个负电压阶跃的约0.25的
伏每锆石盖打开。
在将基质完全由小键的情况下，
该锆石帽实际上可能不火，或许只有一个
他们可能会触发。但是，该设备的错误检测逻辑
需要这两个电容器，从而存在于
正常工作。
如果CS = 15nF （为电路中的共同的价值） ，那么每个锆石
应该是820pF 。该锆石电容应型非营利组织
或C0G陶瓷，或PPS膜。
3.2.9 EEPROM W¯¯
RITE
A
CCESS VIA
/ EA
V
请参见3.2.7的信息，读取EEPROM中的数据。
在/ EAV命令可以用来写一个字节到任意的
86可用的内部EEPROM的位置。像/ EA
命令字节'A'是和0xAA到字节的地址
0xFF的。的字节和'v'应包含8位二进制数据为
写入地址“A” 。
EEPROM的第一个字节的地址为170 （十进制）
并且可以通过命令字符串写入/ EA其中' A'是
二进制字节170 （和0xAA ） 。的最高位置是在255
(0xff).
LQ
8
QT60320C R1.08 / 01.03
QUANTUM [ QUANTUM RESEARCH GROUP ]
