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从Flash存储器中，如果不强制EEPROM的更新
合法的。
操作。为了实现这一点，在PLD始终夹住所有的Y
线到地，除了X的上升为键的存在时
扫描。
电荷积分。
所述第一运算放大器被配置为
积分器具有一个复位开关;电容器Cs （ C14图
3-1 ，和C7在图3-2）进行充电的集成
功能。电容器Ca （ C11图3-1只）的作用是吸收
图3-1运放能反应之前，暂时充电
在整个吸收铯的费用;的Ca的值不是关键的。一
P沟道JFET的脉冲串（在n沟道场效应晶体管之间重置铯
图3-2的情况下） 。图1的运算放大器的输出端
3-1摆动负的，并且作为结果的负电源
电源是必需的电路;图3-2的电路是
单极，只需要一个正电源。
收取取消。
两个锆石电容器用于取消
充穿过铯在逐步的方式，以提高
信号范围。这些电容器可以在过程中切换
一个脉冲串的降低放大器链的最终输出，
预防早期信号饱和，由于大按键（高CX）
和/或长脉冲串长度。在南航通常驱动
的+ 5V时不能使用;他们切换到地面引起的工序
减法电荷积分器。
信号放大;抵消。
在脉冲串的末端，所述
电荷积分结果被放大，并从一个偏移
R2R梯形DAC赶走的X线驱动器应用。这
重新定位的偏移最后的模拟信号尽可能接近
到ADC跨度的中心，或在约2.5V 。量
的偏移施加在校准过程中确定的。
连拍/ R2R时机。
图3-3涉及的特定键
正由一个X行线和栅极控制线YSN 。
在脉冲结束时，X引脚驱动的R2R梯形
网络，以产生校正偏移的放大器链。
The amplifier must stabilize to within �½ LSB (10mV) 8µs after
的R2R值的应用使得信号可以是
准确的采样通过引脚艾因的QT60xx5B 。
信号增益。
增益是由突发长度直接控制，
放大器增益和Cs的值。突发长度可
调整上的一个键了重要基础，而AV和铯固定
所有密钥。参见第3.6节。检测阈值设置
还因素直接到按键的灵敏度。
3电路工作原理
两个参考电路示于图3-1和3-2中。
图3-1显示了具有稍大精密的电路
和灵敏度比图3-2中，但是既会
在大多数情况下表现良好。注意，图3-2中
电路必须有铯钳位控制（命令^ S）极
设置为0x01 ，以正常工作。
3.1部分差异
QT60xx5B部分使用相同的电路和工作在相同的
的方式在各方面，除了只有QT60645B可以
获得64项。
该QT60325B和QT60485B只能获得32和48键
分别，但两者仍然使用一个8x8矩阵;任何32或48
在基体中的键都可以使用。未使用的密钥必须是
通过它们的脉冲串长度设置为零（命令^ F）的禁止。
这些设备有自己的上键禁用（键32和
48和同比分别） 。上的键可以通过首先使能
禁止不希望的下键，以使最大数量的
按键在安装过程中是永远不会超标。
3.2矩阵扫描序列
该电路通过扫描每个键按顺序进行操作，按键
通过关键。键扫描开始位置X = 0 / Y = 0 。 X轴
密钥被称为
排
而Y轴键被称为
列。
键被顺序地逐行扫描的，例如
序列Y0X0 Y0X1 .... Y0X3 ， Y1X0 Y1X1 ...等。
各密钥是从1到64倍采样的脉冲串，其
长度由命令^ F决定。一阵完毕
完全前下一键被采样;在每个端
脉冲串所产生的模拟信号被转换成数字
部分的ADC。突发长度直接影响收益的关键;每
键可以有一个独特的脉冲串长度，以便使缝纫
对关键者皆基础上按键的灵敏度。
3.3信号路径
参阅图1-4， 3-1 ， 3-2和3-3 。进一步说明
可以在第1.20中找到。
收费闸门。
仅在突发期间一个X行脉冲的。
电荷从X跨接在一个关键的Cx的电容
行到所有的Y列。一个特别关键的选择是通过选通
电荷个Y列到一个电荷积分。该
门是8 ： 1模拟复用器被选中行的路径
YS0 ， YS1 ， YS2和;栅极是通过从一个脉冲使能
PLD 。下面的电荷积分器进行说明。
停留时间。
门必须切换之前，为了关闭
X的上升沿，并且必须刚刚重新开放X具有后
成品上升，为了捕捉从动跨越电荷
关键的电容Cx的。从X的产生的延迟时间
开口的门被称为在Y样本
停留时间。
停留时间长短对抑制产生巨大影响
由于湿气薄膜信号在第3.13节中所述。
停留时间是固定在这些设备167ns但这可能是
使用外部电路（第3.9节）缩短。
电荷中和。
当X再次下降，充电
Cx的跨越，必须中和。无中和， Cx的
充电过程中会被采样一次，而不是只一次
3.4 “X”电极驱动器
在“X”的线被直接连接到矩阵，而不
缓冲。这些信号的正边缘被用来
创建用于扫描按键的瞬态场的流动。只
一个X一行正在积极地驾驶的的矩阵以进行扫描目的而
在一个时间，并且它将脉冲为一个“脉冲串长度”的每个键
由“突发长度”设置参数来确定（见
命令^ F ，第25页和第3.6节） 。
3.4.1 RFI ˚F
只读存储器
x长
INES
X驱动线会辐射量小的RFI 。这可以是
如果需要，通过使用行与串联电阻衰减
每个X痕迹;电阻器应放在靠近
QT60xx5B 。典型值的范围可以从47到470欧姆。
过量的R会造成适得其反下降
在信号强度。 RC网络还可以使用如图
图4-4 。
在X线中插入的电阻器也有积极作用
限制ESD瞬态电流（第3.22 ） 。
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QT60xx5B / R1.06
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