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FM16W08-SG 参数 Datasheet PDF下载

FM16W08-SG图片预览
型号: FM16W08-SG
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内容描述: 64Kb的宽电压字节宽度的F- RAM [64Kb Wide Voltage Bytewide F-RAM]
分类和应用: 内存集成电路静态存储器光电二极管PC
文件页数/大小: 11 页 / 96 K
品牌: RAMTRON [ RAMTRON INTERNATIONAL CORPORATION ]
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FM16W08
读周期AC参数
(T
A
= -40C至+ 85C ,C
L
= 30 pF的,除非另有规定)
V
DD
2.7〜 3.0V V
DD
3.0至5.5V
符号
参数
最大
最大
t
CE
芯片使能存取时间(数据有效)
80
70
t
CA
芯片使能有效时间
80
70
t
RC
读周期时间
145
130
t
PC
预充电时间
65
60
t
AS
地址建立时间
0
0
t
AH
地址保持时间
15
15
t
OE
输出启用访问时间
15
12
t
HZ
芯片使能输出高-Z
15
15
t
OHZ
输出使能到输出高阻
15
15
写周期AC参数
(T
A
= -40C至+ 85C ,除非另有规定)
V
DD
2.7〜 3.0V V
DD
3.0至5.5V
符号
参数
最大
最大
t
CA
芯片使能有效时间
80
70
t
CW
芯片使能写高
80
70
t
WC
写周期时间
145
130
t
PC
预充电时间
65
60
t
AS
地址建立时间
0
0
t
AH
地址保持时间
15
15
t
WP
写使能脉冲宽度
50
40
t
DS
数据设置
40
30
t
DH
数据保持
0
0
t
WZ
写使能低到输出高阻
15
15
t
WX
写使能高到输出驱动
10
10
t
HZ
芯片使能输出高-Z
15
15
t
WS
写使能设置
0
0
t
WH
写使能保持
0
0
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
笔记
1
1
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
笔记
1
1
1
2
2
笔记
1
此参数是周期性采样,而不是100 %测试。
2
/ CE之间的关系和/ WE确定A / CE-或/ WE控制的写操作。不存在定时
规范与此相关的关系。
数据保留
符号
参数
T
DR
@
+85ºC
@
+80ºC
@
+75ºC
10
19
38
最大
-
-
-
单位
岁月
岁月
岁月
笔记
修订版1.2
2011年3月
第11 7