FM18L08
256KB的字节宽度FRAM存储器
特点
256K位的非易失性铁电RAM
•
组织为32,768 ×8位
•
45年的数据保存
•
无限的读/写周期
•
无需等待的写入™
•
先进的高可靠性铁电工艺
优越于电池供电的SRAM
•
没有电池忧虑
•
整体可靠性
•
真正的表面安装解决方案，没有返工步骤
•
优越的防潮，防震，振动
•
抗负电压下冲
SRAM & EEPROM兼容
•
JEDEC 32Kx8 SRAM & EEPROM的引脚
•
70 ns访问时间
•
140 ns的周期时间
低功耗工作
•
3.0V至3.65V工作
•
15毫安工作电流
•
15
µA
待机电流
行业标准配置
•
工业级温度-40 ° C至+ 85°C
•
32引脚“绿色”的TSOP封装
•
28引脚SOIC或DIP封装
•
“绿色”包装选项
销刀豆网络gurations
NC
OE
A11
A9
A8
A13
WE
VDD
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
NC
A10
CE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
VSS
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
NC
描述
该FM18L08是256千比特的非易失性存储器
采用先进的铁电工艺。一
铁电随机存取存储器或FRAM是
非易失性和读取和写入像RAM 。它
提供了数据保留45年，同时消除
的可靠性问题，功能和缺点
系统设计的电池备份SRAM的复杂性
（ BBSRAM ） 。快写时序和高写入
耐力化妆FRAM优于其它类型的
非易失性存储器。
在系统的FM18L08的操作非常相似
到其它基于RAM的设备。读周期和写
周期时间相等。在FRAM存储器，但是，
是非易失性的，由于其独特的强电介质存储器
流程。不像BBSRAM ，所述FM18L08是一个真正的
单片非易失性存储器。它提供了相同的
一个快速的写入没有功能性利益
与模块和电池相关的缺点
或者混合存储解决方案。
这些功能使得FM18L08理想
需要频繁的非易失性存储器应用
或快速写入一字节的环境。该
表面贴装封装的可用性提高
制造性的新的设计，而将DIP
包装方便简洁的设计改造。设备
规格保证在温度
范围为-40 ° C至+ 85°C 。
TSOP -I
订购信息
FM18L08-70-TG
FM18L08-70-S
FM18L08-70-P
FM18L08-70-SG
FM18L08-70-PG
70 ns访问， 32引脚“绿色” TSOP
70 ns访问， 28引脚SOIC
70 ns访问， 28引脚DIP
70 ns访问， 28引脚“绿色” SOIC
70 ns访问， 28引脚“绿色” DIP
本产品符合每Ramtron公司的条款规范
标准保修。该产品已经完成了Ramtron的内部
资格测试，并达到生产状态。
Ramtron的国际公司
1850 Ramtron的驱动器，科罗拉多斯普林斯，CO 80921
（ 800 ） 545 - FRAM ， （ 719 ） 481-7000
http://www.ramtron.com
修订版3.4
2007年7月
1 13
RAMTRON [ RAMTRON INTERNATIONAL CORPORATION ]
