预生产
FM18W08
256KB宽电压字节宽度的F- RAM
特点
256Kbit铁电非易失性RAM
组织为32,768 ×8位
高耐用性100万亿美元（ 10
14
）读/写操作
38年数据保留
无需等待的写入™
先进的高可靠性铁电工艺
优于BBSRAM模块
没有电池忧虑
整体可靠性
真正的表面安装解决方案，没有返工步骤
优越的防潮，防震，振动
抗负电压下冲
SRAM & EEPROM兼容
JEDEC 32Kx8 SRAM & EEPROM的引脚
70 ns访问时间
130 ns的周期时间
低功耗工作
宽电压工作在2.7V至5.5V
12毫安工作电流
20
A
（ TYP。）待机电流
行业标准配置
工业级温度-40 ° C至+ 85°C
28引脚“绿色” / RoHS指令的SOIC封装
描述
该FM18W08是256千比特的非易失性存储器
采用先进的铁电工艺。一
铁电随机存取存储器或F -RAM是
非易失性，但操作在其他方面为RAM 。
它提供了数据保留38年，而
消除了可靠性问题，功能
缺点和系统设计的复杂性
电池供电的SRAM （ BBSRAM ） 。快写时序
和高读写次数进行F-RAM优于
其他类型的非易失性存储器。
在系统的FM18W08的操作非常相似
到其他RAM器件。最小的读和直写
周期时间相等。在F- RAM存储器，然而，
是非易失性的，由于其独特的强电介质存储器
流程。不像BBSRAM ，所述FM18W08是一个真正的
单片非易失性存储器。它提供了相同的
一个快速的写入没有功能性利益
与模块和电池相关的缺点
或者混合存储解决方案。
这些功能使得FM18W08理想
需要频繁的非易失性存储器应用
或快速写入一字节的环境。该
真正的表面贴装封装的可用性改进
新设计的可制造性。设备
规格保证在工业
温度范围-40C至+ 85C的。
引脚配置
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VDD
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
订购信息
FM18W08-SG
28引脚“绿色” SOIC
这是在发展的预产期的产物。设备
鉴定完成， Ramtron公司并不期望改变
的规格。 Ramtron公司将发行如果有一个产品变更通知
规格更改。
Ramtron的国际公司
1850 Ramtron的驱动器，科罗拉多斯普林斯，CO 80921
（ 800 ） 545 - FRAM ， （ 719 ） 481-7000
http://www.ramtron.com
修订版2.0
2011年12月
分页： 11 1
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