初步
FM21LD16
2Mbit的F-RAM存储器
特点
2Mbit的铁电非易失性RAM
•
组织为128Kx16
•
配置为256Kx8使用/ UB ， / LB
•
10
14
读/写周期
•
无需等待的写入™
•
页面模式操作，以33MHz的
•
先进的高可靠性铁电工艺
SRAM兼容
•
JEDEC 128Kx16 SRAM引脚
•
60 ns的存取时间， 110 ns的周期时间
高级功能
•
软件可编程块写保护
优越于电池供电的SRAM模块
•
没有电池忧虑
•
整体可靠性
•
真正的表面安装解决方案，没有返工步骤
•
优越的防潮，防震，振动
低功耗工作
•
2.7V - 3.6V电源
•
低待机电流（典型值90μA ）。
•
低工作电流（ 8毫安典型值）。
行业标准配置
•
工业级温度-40 ° C至+ 85°C
•
48球的“绿色” / RoHS指令FBGA封装
•
引脚FM22LD16 （ 4MB）兼容，
FM23MLD16 （ 8MB）
该器件采用48球FBGA封装。
设备规格都保证了工业
温度范围：-40 ° C至+ 85°C 。
引脚配置
1
2
3
4
5
6
描述
该FM21LD16是128Kx16非易失性存储器
读取和写入像一个标准的SRAM 。一
铁电随机存取存储器或F -RAM是
非易失性的，这意味着数据后保留
电源被移除。它提供了数据保持
10年同时消除了可靠性问题，
功能性的缺点，而且系统设计
电池供电的SRAM （ BBSRAM ）的复杂性。
快写时序和高读写次数进行
F-RAM优于其它类型的存储器。
在系统的FM21LD16的操作非常相似
到其他RAM器件，可以用来作为一个下拉
替代标准的SRAM 。读取和写入
周期可由/ CE或仅仅是触发
改变地址。这架F -RAM存储器
非易失性由于其独特的强电介质存储器
流程。这些特点使FM21LD16理想
对于需要非易失性存储器应用
频繁或快速写操作在一个SRAM的形式。
该FM21LD16包括低电压监测器
禁止访问该存储器阵列当V
DD
滴剂
低于V
DD
分钟。存储器被保护不受
根据本无意的访问和数据损坏
条件。该器件还具有软件 -
控制的写保护功能。存储器阵列是
划分成8个均匀的块，其中每一个可以是
单独写保护。
A
B
C
D
E
F
G
H
/磅
/ OE
A0
A1
A2
NC
DQ8
/ UB
A3
A4
/ CE
DQ0
DQ9
DQ10
A5
A6
DQ1
DQ2
VSS
DQ11
NC
A7
DQ3
VDD
VDD
DQ12
NC
A16
DQ4
VSS
DQ14
DQ13
A14
A15
DQ5
DQ6
DQ15
NC
A12
A13
/ WE
DQ7
NC
A8
A9
A10
A11
NC
俯视图（球下）
订购信息
FM21LD16-60-BG
60 ns访问， 48球
“绿色” / RoHS指令FBGA
FM21LD16-60 - BGTR 60 ns访问， 48球
“绿色” / RoHS指令FBGA ，
磁带&卷轴
Ramtron的国际公司
1850 Ramtron的驱动器，科罗拉多斯普林斯，CO 80921
（ 800 ） 545 - FRAM ， （ 719 ） 481-7000
http://www.ramtron.com
这是一个已经固定的目标规格但有一个产品
如有变更，未决表征结果。
修订版1.1
2011年4月
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