初步
FM23MLD16
8Mbit的F-RAM存储器
特点
8Mbit的铁电非易失性RAM
•
组织为512Kx16
•
配置为1Mx8使用/ UB ， / LB
•
高耐用性100万亿美元（ 10
14
）读/写操作
•
无需等待的写入™
•
页面模式操作，以33MHz的
•
先进的高可靠性铁电工艺
SRAM兼容
•
JEDEC 512Kx16 SRAM引脚
•
60 ns的存取时间， 115 ns的周期时间
高级功能
•
低V
DD
监控防止记忆
意外写入
优越于电池供电的SRAM模块
•
没有电池忧虑
•
整体可靠性
•
真正的表面安装解决方案，没有返工步骤
•
优越的防潮，防震，振动
低功耗工作
•
2.7V - 3.6V电源
•
14毫安工作电流
行业标准配置
•
工业级温度-40 ° C至+ 85°C
•
48引脚“绿色” / RoHS指令FBGA封装
描述
该FM23MLD16是512Kx16非易失性存储器
读取和写入像一个标准的SRAM 。一
铁电随机存取存储器或F -RAM是
非易失性的，这意味着数据后保留
电源被移除。它提供了数据保持
10年同时消除了可靠性问题，
功能性的缺点，而且系统设计
电池供电的SRAM （ BBSRAM ）的复杂性。
快写时序和非常高的读写次数
使F-RAM优于其它类型的存储器。
在系统的FM23MLD16的操作非常
类似于其他RAM器件，并且可以用作
插入式替换标准的SRAM 。阅读和
写周期可以由一个芯片来触发启用或
通过简单地改变地址。这架F -RAM
存储器是非易失性的，由于其独特的强电介质
存储过程。这些特点使
FM23MLD16理想的非易失性存储器
需要频繁或快速写入的应用
形式的SRAM中。
该FM23MLD16包括低电压监测器
该禁止访问该存储器阵列当V
DD
下降到低于临界阈值。内存
保护，以防止无意中的访问和数据
在此条件下的腐败。
该FM23MLD16 F-RAM可在48球
FBGA表面贴装封装。设备规格
都保证在工业级温度范围
-40 ° C至+ 85°C 。
48球FBGA俯视图（球下）
1
2
3
4
5
6
A
B
C
D
E
F
G
H
/磅
/ OE
A0
A1
A2
CE2
DQ8
/ UB
A3
A4
/CE1
DQ0
DQ9
DQ10
A5
A6
DQ1
DQ2
VSS
DQ11
A17
A7
DQ3
VDD
VDD
DQ12
NC
A16
DQ4
VSS
DQ14
DQ13
A14
A15
DQ5
DQ6
DQ15
NC
A12
A13
/ WE
DQ7
A18
A8
A9
A10
A11
NC
订购信息
FM23MLD16-60 -BG 60 ns访问， 48针
“绿色” / RoHS指令FBGA
这是一个已经固定的目标规格，但受产品
改变正在申请鉴定的结果。
1.0版
2008年12月
Ramtron的国际公司
1850 Ramtron的驱动器，科罗拉多斯普林斯，CO 80921
（ 800 ） 545 - FRAM ， （ 719 ） 481-7000
http://www.ramtron.com
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