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FM24CL64B-GATR 参数 Datasheet PDF下载

FM24CL64B-GATR图片预览
型号: FM24CL64B-GATR
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内容描述: 64Kb的串行3V F-RAM存储器 [64Kb Serial 3V F-RAM Memory]
分类和应用: 存储
文件页数/大小: 12 页 / 223 K
品牌: RAMTRON [ RAMTRON INTERNATIONAL CORPORATION ]
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初步
AEC Q100 1级标准
FM24CL64B
- 汽车温度。
64Kb的串行3V F-RAM存储器
特点
64K位的非易失性铁电RAM
组织为8192 ×8位
高耐用性10万亿( 10
13
)读/写操作
无需等待的写入™
先进的高可靠性铁电工艺
快速两线串行接口
高达1 MHz的最高总线频率
直接硬件替代EEPROM
支持传统时序100千赫& 400千赫
低功耗
低工作电压3.0-3.6V
6
A
待机电流( + 85C )
行业标准配置
汽车温度-40C至125C +
o
符合AEC Q100规范
8引脚“绿色” / RoHS指令的SOIC封装
描述
该FM24CL64B是为64Kbit非易失性存储器
采用先进的铁电工艺。一
铁电随机存取存储器或F -RAM是
非易失性和执行读取和写入像
内存。它提供可靠的数据保存多年
同时消除了复杂性,开销,并且
所造成的系统级可靠性问题
EEPROM和其它非易失性存储器。
该FM24CL64B执行写操作,在公交车
速度。没有写入延迟发生。下一班车
循环可立即开始,而不需要
数据轮询。此外,该产品提供了写
级耐力订单高于
EEPROM 。此外, F-RAM具有更低的功耗
期间,由于写操作比EEPROM的写入
不需要内部升高的电源
电压写入电路。
这些功能使得FM24CL64B理想
需要频繁的非易失性存储器应用
或快速写入。种类繁多,从数据采集
其中写入周期的数目可以是关键的,以
要求严苛的工业控制,其中长写
EEPROM的时间可能会导致数据丢失。该
这些特征的组合允许更频繁的数据
写入与用于系统开销较少。
该FM24CL64B提供了实实在在的利益
用户的串行EEPROM ,但这些好处
可在一个硬件简易替换。该
设备在工业标准的8引脚SOIC封装
打包使用熟悉的两线(我
2
C)协议。该
器件保证在汽车级温度
范围为-40 ° C至+ 125°C 。
引脚配置
A0
A1
A2
VSS
1
2
3
4
8
7
6
5
VDD
WP
SCL
SDA
引脚名称
A0-A2
SDA
SCL
WP
VDD
VSS
功能
器件的地址选择
串行数据/地址
串行时钟
写保护
电源电压
订购信息
FM24CL64B-G
A
FM24CL64B-GATR
“绿色” / RoHS指令的8引脚SOIC ,
汽车级1
“绿色” / RoHS指令的8引脚SOIC ,
汽车级1 ,
磁带&卷轴
这是一个已经固定的目标规格,但受产品
改变正在申请鉴定的结果。
修订版1.1
2011年6月
Ramtron的国际公司
1850 Ramtron的驱动器,科罗拉多斯普林斯,CO 80921
( 800 ) 545 - FRAM , ( 719 ) 481-7000
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