产品预览
FM24V02
256Kb的3V串行F-RAM存储器
特点
256K位的非易失性铁电RAM
•
组织为32,768 ×8位
•
高耐用性100万亿美元（ 10
14
）读/写操作
•
10年的数据保存
•
无需等待的写入™
•
先进的高可靠性铁电工艺
快速两线串行接口
•
高达3.4 MHz的最高总线频率
•
直接硬件替代EEPROM
•
支持传统时序100千赫& 400千赫
器件ID和序列号
•
设备ID读出制造商ID &部分ID
•
唯一的序列号（ FM24VN02 ）
低电压，低功耗工作
•
低工作电压2.0V - 3.6V
•
工作电流< 150
µA
（典型值。
@ 100kHz的
)
•
90
µA
待机电流（典型值）。
•
5
µA
睡眠模式电流（典型值）。
行业标准配置
•
工业级温度-40 ° C至+ 85°C
•
8引脚“绿色” / RoHS指令的SOIC封装
行业标准8引脚SOIC封装
使用熟悉的双线（我
2
C）协议。该
FM24VN02提供了一个独特的序列号
这是只读的，并且可以被用于识别一个板
或系统。这两款器件集成了只读
设备ID是允许主机确定
制造商，产品密度和产品版本。
这些器件保证在工业
温度范围-40C至+ 85C的。
描述
该FM24V02是256Kbit非易失性存储器
采用先进的铁电工艺。一
铁电随机存取存储器或F -RAM是
非易失性和执行读取和写入像
内存。它提供可靠的数据保持10年
同时消除了复杂性，开销，并且
所造成的系统级可靠性问题
EEPROM和其它非易失性存储器。
该FM24V02执行写操作，在公交车
速度。没有写入延迟发生。下一班车
循环可立即开始，而不需要
数据轮询。此外，该产品提供了写
级耐力订单高于
EEPROM 。此外， F-RAM具有更低的功耗
期间，由于写操作比EEPROM的写入
不需要内部升高的电源
电压写入电路。
这些功能使得FM24V02理想
需要频繁的非易失性存储器应用
或快速写入。种类繁多，从数据采集
其中写入周期的数目可以是关键的，以
要求严苛的工业控制，其中长写
EEPROM的时间可能会导致数据丢失。该
这些特征的组合允许更频繁的数据
写入与用于系统开销较少。
该FM24V02提供了实实在在的好处给用户
串行EEPROM ，但这些好处是可
硬件简易替换。该装置是
引脚配置
A0
A1
A2
VSS
1
2
3
4
8
7
6
5
VDD
WP
SCL
SDA
引脚名称
A0-A2
SDA
SCL
WP
VDD
VSS
功能
器件的地址选择
串行数据/地址
串行时钟
写保护
电源电压
地
这是正在开发中的产物。设备规格设计
的目标，并有可能发生变化。 Ramtron公司保留更改的权利
或终止本产品，恕不另行通知。
修订版0.1
2009年3月
Ramtron的国际公司
1850 Ramtron的驱动器，科罗拉多斯普林斯，CO 80921
（ 800 ） 545 - FRAM ， （ 719 ） 481-7000
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