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FM24W256-GTR 参数 Datasheet PDF下载

FM24W256-GTR图片预览
型号: FM24W256-GTR
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内容描述: 256KB宽电压串行F-RAM [256Kb Wide Voltage Serial F-RAM]
分类和应用: 存储内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 13 页 / 229 K
品牌: RAMTRON [ RAMTRON INTERNATIONAL CORPORATION ]
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初步
FM24W256
256KB宽电压串行F-RAM
特点
256K位的非易失性铁电RAM
组织为32,768 ×8位
高耐用性100万亿美元( 10
14
)读/写操作
38年的数据保存(
@
+75ºC)
无需等待的写入™
先进的高可靠性铁电工艺
快速两线串行接口
高达1 MHz的最高总线频率
直接硬件替代EEPROM
支持传统时序100千赫& 400千赫
低功耗工作
宽电压工作2.7V - 5.5V
100
A
有功电流( 100千赫)
15
A
待机电流(典型值)。
行业标准配置
工业级温度-40 ° C至+ 85°C
8引脚“绿色” / RoHS指令的SOIC封装
描述
该FM24W256是256千比特的非易失性存储器
采用先进的铁电工艺。一
铁电随机存取存储器或F -RAM是
非易失性和执行读取和写入像
内存。它提供可靠的数据保持10年
同时消除了复杂性,开销,并且
所造成的系统级可靠性问题
EEPROM和其它非易失性存储器。
该FM24W256执行写在总线操作
速度。没有写入延迟发生。数据被写入到
存储器阵列后,立即就已经
成功传输到该设备。下一班车
循环可立即开始,而不需要
数据轮询。此外,该产品报价
大量的擦写次数与其它相比,
非易失性存储器。该FM24W256能够
支持10
14
读/写周期,或亿
倍以上的写周期比EEPROM 。
这些功能使得FM24W256理想
需要频繁的非易失性存储器应用
或快速写入。种类繁多,从数据采集
其中写入周期的数目可以是关键的,以
要求严苛的工业控制,其中长写
EEPROM的时间可能会导致数据丢失。该
这些特征的组合允许更频繁的数据
写入与用于系统开销较少。
该FM24W256提供了实实在在的利益
用户的串行EEPROM ,但这些好处
可在一个硬件简易替换。该
FM24W256是行业标准的8引脚
SOIC封装使用熟悉的两线协议。它
保证在一个工业级温度范围
-40 ° C至+ 85°C 。
这是一个已经固定的目标规格,但受产品
改变正在申请鉴定的结果。
引脚配置
A0
A1
A2
VSS
1
2
3
4
8
7
6
5
VDD
WP
SCL
SDA
引脚名称
A0-A2
SDA
SCL
WP
VSS
VDD
功能
器件的地址选择
串行数据/地址
串行时钟
写保护
电源电压
订购信息
FM24W256-G
FM24W256-GTR
FM24W256-EG*
FM24W256-EGTR*
8引脚“绿色” / RoHS指令的SOIC
8引脚“绿色” / RoHS指令的SOIC ,磁带
& REEL
8引脚“绿色” / RoHS指令EIAJ SOIC
8引脚“绿色” / RoHS指令EIAJ SOIC ,
磁带&卷轴
*不推荐用于新设计
Ramtron的国际公司
1850 Ramtron的驱动器,科罗拉多斯普林斯,CO 80921
( 800 ) 545 - FRAM , ( 719 ) 481-7000
修订版1.3
2011年7月
分页: 13 1