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FM24W256-GTR 参数 Datasheet PDF下载

FM24W256-GTR图片预览
型号: FM24W256-GTR
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内容描述: 256KB宽电压串行F-RAM [256Kb Wide Voltage Serial F-RAM]
分类和应用: 存储内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 13 页 / 229 K
品牌: RAMTRON [ RAMTRON INTERNATIONAL CORPORATION ]
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FM24W256 - 256Kb的宽电压I2C F-RAM
电气规格
绝对最大额定值
符号
描述
V
DD
电源电压相对于V
SS
V
IN
电压的任何引脚相对于V
SS
T
英镑
T
领导
V
ESD
储存温度
引线温度(焊接, 10秒)
静电放电电压
- 人体模型
( AEC - Q100-002牧师E)
- 带电器件模型
( AEC - Q100-011版本B )
- 机型号
( AEC - Q100-003牧师E)
包装湿度敏感度等级
评级
-1.0V至+ 7.0V
-1.0V至+ 7.0V
和V
IN
& LT ; V
DD
+1.0V *
-55 ° C至+ 125°C
260 C
3.5kV
1.25kV
200V
MSL - 1 ( SOIC )
MSL- 2( EIAJ )
*例外: “V
IN
& LT ; V
DD
+ 1.0V “的限制不适用于SCL和SDA输入。
注意,超出上述绝对最大额定值可能会导致器件永久性损坏。这是一个压力等级
只是,和该设备在这些或以上在本运算部中列出的任何其它条件的功能操作
规范是不是暗示。长期在绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。
直流工作条件
(T
A
= -40 ° C至+ 85°C ,V
DD
= 2.7V至5.5V ,除非另有说明)
符号
参数
典型值
最大
单位
V
DD
主电源
2.7
3.3
5.5
V
I
DD
V
DD
电源电流
@ SCL = 100千赫
100
A
@ SCL = 400千赫
200
A
@ SCL = 1兆赫
400
A
I
SB
待机电流
15
30
A
I
LI
输入漏电流
±1
A
I
LO
输出漏电流
±1
A
V
IL
输入低电压
-0.3
0.3*V
DD
V
V
IH
输入高电压
0.7*V
DD
V
DD
+ 0.3
V
V
OL
输出低电压
@ I
OL
= 3.0毫安
0.4
V
R
IN
地址输入电阻( WP , A2- A0 )
对于V
IN
= V
IL
(最大)
40
K
对于V
IN
= V
IH
(分钟)
4
M
笔记
1
2
3
3
4
笔记
V 1之间来回切换,SCL
DD
-0.3V和V
SS
,其他投入V
SS
或V
DD
-0.3V.
2. SCL SDA = = V
DD
。所有输入V
SS
或V
DD
。发出停止命令。
3. V
IN
或V
OUT
= V
SS
到V
DD
。不适用于WP , A2- A0引脚。
4.输入下拉电路是强( 40K )当输入电压为低于V
IL
和弱( 4M )当
输入电压是高于V
IH
.
修订版1.3
2011年7月
第8页13