FM25C160C - 16Kb的SPI 5V F-RAM
RDSR - 读状态寄存器
该RDSR命令允许总线主机验证
状态寄存器的内容。阅读状态
提供有关的当前状态信息
写保护功能。继RDSR OP-
代码中， FM25C160C会返回一个字节的
状态寄存器的内容。状态寄存器
详细在后面的章节中描述。
WRSR - 写状态寄存器
在WRSR命令允许用户选择
某些写保护功能，通过写一个字节
状态寄存器。在此之前发出WRSR
命令中，/ WP引脚必须为高电平或不活动。记
这对FM25C160C ， / WP只是阻止写作
状态寄存器，而不是存储阵列。之前
发送WRSR命令，用户必须发送一个
WREN命令使能写操作。注意
执行WRSR命令是一个写操作和
因此，清除写使能锁存。公交车
对于RDSR和WRSR时序如下所示。
图7. RDSR总线时序
图8. WRSR总线时序
状态寄存器&写保护
该FM25C160C的写保护功能
多层次的。首先，必须发出WREN操作码
之前的任何写操作。假设写操作
用雷恩启用，写入存储器
由状态寄存器控制。如上所述，
写到状态寄存器所使用的执行
WRSR命令和服从/ WP引脚。该
状态寄存器的内容安排如下。
表2.状态寄存器
位
名字
7
WPEN
6
0
5
0
4
0
3
BP1
2
BP0
1
WEL
0
0
是非易失性（黄色阴影部分） 。该WEL标志
表示写入的状态使能锁存器。该位
内部由WREN命令集，并
终止写周期清零（ / CS为高电平）或
使用WRDI命令。
BP1和BP0的内存块写保护位。
它们指定的内存是写的部分
保护成示于下表中。
表3块存储器写保护
BP1
BP0受保护的地址范围
0
0
无
0
1
600H到地址为7FFh （上¼ ）
1
0
400h to 7FFh (upper �½)
1
1
000H到地址为7FFh （全部）
位0和4-6分别固定为0 ，并且不能修改。
需要注意的是位0 （ / RDY EEPROM中）是有线低
由于F-RAM写入没有延迟和内存
是永不占线。所有使用的EEPROM就绪指示
是否一个写周期的结束与否。该WPEN ，
BP1和BP0控制写保护功能。他们
修订版1.1
2011年7月
第13 6
RAMTRON [ RAMTRON INTERNATIONAL CORPORATION ]
