初步
FM25CL64B
64Kb的串行3V F-RAM存储器
特点
64K位的非易失性铁电RAM
•
组织为8192 ×8位
•
高耐用性100万亿美元（ 10
14
）读/写操作
•
38年的数据保存（
@
+75ºC)
•
无需等待的写入™
•
先进的高可靠性铁电工艺
非常快的串行外设接口 - SPI
•
高达20MHz的频率
•
直接硬件替代EEPROM
•
SPI模式0 & 3 （ CPOL ， CPHA = 0,0 & 1,1 ）
先进的写保护方案
•
硬件保护
•
软件保护
低功耗
•
低工作电压2.7-3.65V
•
200
µA
工作电流（ 1兆赫）
•
3
µA
（ TYP。）待机电流
行业标准配置
•
工业级温度-40 ° C至+ 85°C
•
8引脚“绿色” / RoHS指令的SOIC封装和TDFN封装
描述
该FM25CL64B是64千比特的非易失性存储器
采用先进的铁电工艺。一
铁电随机存取存储器或F -RAM是
非易失性和执行读取和写入像
内存。它提供了可靠的数据保留38年
同时消除了复杂性，开销，并且
所造成的系统级可靠性问题
EEPROM和其它非易失性存储器。
该FM25CL64B执行写操作，在公交车
速度。没有写入延迟发生。数据被写入到
存储器阵列后立即每字节有
被成功地传输到该设备。下一个
总线周期可以立即开始无
需要进行数据查询。此外，该产品报价
大量的擦写次数与其它相比，
非易失性存储器。该FM25CL64B能
支持10
14
读/写周期，或亿
倍以上的写周期比EEPROM 。
这些功能使得FM25CL64B理想
需要频繁的非易失性存储器应用
或快速写入。种类繁多，从数据采集，
其中写入周期的数目可以是关键的，以
要求严苛的工业控制，其中长写
EEPROM的时间可能会导致数据丢失。
该FM25CL64B提供了实实在在的利益
用户的串行EEPROM作为硬件停靠
更换。该FM25CL64B使用高速
SPI总线，这增强了高速写入
能力
of
F-RAM
技术。
设备
规格保证在工业
温度范围-40C至+ 85C的。
本产品符合每Ramtron公司的条款规范
标准保修。该产品已经完成了Ramtron的内部
资格测试，并达到生产状态。
引脚配置
CS
SO
WP
VSS
1
2
3
4
8
7
6
5
VDD
HOLD
SCK
SI
顶视图
/ CS
SO
/ WP
VSS
1
2
3
4
8
7
6
5
VDD
/ HOLD
SCK
SI
引脚名称
/ CS
/ WP
/ HOLD
SCK
SI
SO
VDD
VSS
功能
芯片选择
写保护
HOLD
串行时钟
串行数据输入
串行数据输出
电源电压
地
订购信息
FM25CL64B-G
“绿色” 8引脚SOIC
FM25CL64B-GTR
“绿色” 8引脚SOIC ，
磁带&卷轴
FM25CL64B-DG
“绿色” / RoHS指令的8引脚TDFN
FM25CL64B-DGTR
“绿色” / RoHS指令的8引脚TDFN封装，
磁带&卷轴
Ramtron的国际公司
1850 Ramtron的驱动器，科罗拉多斯普林斯，CO 80921
（ 800 ） 545 - FRAM ， （ 719 ） 481-7000
http://www.ramtron.com
修订版1.2
2011年2月
第14页1
RAMTRON [ RAMTRON INTERNATIONAL CORPORATION ]
