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    FM25H20-DG 参数 Datasheet PDF下载

    FM25H20-DG图片预览
    型号： FM25H20-DG
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 2MB串行3V F-RAM存储器 [2Mb Serial 3V F-RAM Memory]
    分类和应用： 存储内存集成电路光电二极管
    文件页数/大小： 15 页 / 335 K
    品牌： RAMTRON [ RAMTRON INTERNATIONAL CORPORATION ]
     浏览型号FM25H20-DG的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FM25H20-DG的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FM25H20-DG的Datasheet PDF文件第7页浏览型号FM25H20-DG的Datasheet PDF文件第8页浏览型号FM25H20-DG的Datasheet PDF文件第10页浏览型号FM25H20-DG的Datasheet PDF文件第11页浏览型号FM25H20-DG的Datasheet PDF文件第12页浏览型号FM25H20-DG的Datasheet PDF文件第13页  
    FM25H20 - 的2Mb SPI FRAM
    耐力
    该FM25H20是至少能够被访问的
    10
    14
    次，读取或写入。一架F -RAM存储器
    工作于读和恢复机制。
    因此，一个耐久循环被施加于一个行
    依据每个访问（读或写）到存储器
    数组。在F- RAM的体系结构是基于在阵列上
    的行和列。行由A17 -A3定义
    和A2- A0列地址。见座
    图（第2 ），该显示阵列32K行
    的每个64比特。全行内部访问
    在该行中的一个字节被读出或写入的每个时间。所有8
    该行中的字节分别为每个计数
    在访问耐力计算。下表
    显示耐力计算256字节的重复
    环，它包括一个操作码，一个起始地址（3-
    个字节） ，和一个连续的256字节的数据流。这
    导致每个字节来体验8耐力
    通过循环周期。 F-RAM读写
    续航能力是非常高的，即使在​​40MHz的时钟速率。
    表5.时间达到100万亿美元的循环重复256字节的循环
    SCK频率
    耐力
    耐力
    年达到
    （兆赫）
    周期/秒。
    次/年
    10
    14
    周期
    40
    153,848
    4.85 x 10
    12
    20.6
    12
    41.2
    20
    76,924
    2.43 x 10
    12
    10
    38,462
    1.21 x 10
    82.4
    11
    5
    19,231
    6.06 x 10
    164.8
    2.2版
    2010年9月
    第9页的15

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