FM25L16
16Kb的串行FRAM存储器3V
特点
16K位的非易失性铁电RAM
•
组织为2048 ×8位
•
无限的读/写周期
•
45年的数据保存
•
无需等待的写入™
•
先进的高可靠性铁电工艺
非常快的串行外设接口 - SPI
•
高达18 MHz的频率
•
直接硬件替代EEPROM
•
SPI模式0 & 3 ( CPOL , CPHA = 0,0 & 1,1 )
先进的写保护方案
•
硬件保护
•
软件保护
低功耗
•
低工作电压2.7-3.6V
•
1
µA
待机电流
行业标准配置
•
工业级温度-40 ° C至+ 85°C
•
“绿色” / RoHS指令的8引脚SOIC封装
•
“绿色” / RoHS指令的8引脚TDFN封装
•
TDFN足迹符合TSSOP- 8
描述
该FM25L16是采用16千比特的非易失性存储器
采用先进的铁电工艺。一
铁电随机存取存储器或FRAM是
非易失性和执行读取和写入像
内存。它提供了可靠的数据保留45年
同时消除了复杂性,开销,并且
所造成的系统级可靠性问题
EEPROM和其它非易失性存储器。
与串行EEPROM中, FM25L16执行
写在总线速度操作。没有写延时
发生的。数据被写入到存储器阵列
后立即每字节已经被传送到
该设备。下一个总线周期可能展开
而不需要对数据进行轮询。该产品报价
几乎无限的读写次数,订单
大小比EEPROM更强的续航能力。 FRAM
另外,在比写表现出低得多的功率
EEPROM 。
这些功能使得FM25L16理想
需要频繁的非易失性存储器应用
或快速写入。种类繁多,从数据采集,
其中写入周期的数目可以是关键的,以
要求严苛的工业控制,其中长写
EEPROM的时间可能会导致数据丢失。
该FM25L16提供了实实在在的好处给用户
串行EEPROM作为硬件停靠
更换。该FM25L16采用高速SPI
总线,这增强了高速写入能力
的FRAM技术。设备规格
保证在一个工业级温度范围
-40 ° C至+ 85°C 。
本产品符合每Ramtron公司的条款规范
标准保修。该产品已经完成了Ramtron的内部
资格测试,并达到生产状态。
修订版3.0
2006年8月
引脚配置
CS
SO
WP
VSS
1
2
3
4
8
7
6
5
VDD
HOLD
SCK
SI
/ CS
SO
/ WP
VSS
1
2
3
4
顶视图
8
7
6
5
VDD
/ HOLD
SCK
SI
引脚名称
/ CS
/ WP
/ HOLD
SCK
SI
SO
VDD
VSS
功能
芯片选择
写保护
HOLD
串行时钟
串行数据输入
串行数据输出
电源电压
地
订购信息
FM25L16-G
FM25L16-DG
“绿色” / RoHS指令的8引脚SOIC
“绿色” / RoHS指令的8引脚TDFN
Ramtron的国际公司
1850 Ramtron的驱动器,科罗拉多斯普林斯,CO 80921
( 800 ) 545 - FRAM , ( 719 ) 481-7000
www.ramtron.com
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