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FM25L16 参数 Datasheet PDF下载

FM25L16图片预览
型号: FM25L16
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内容描述: 16Kb的串行FRAM存储器3V [16Kb FRAM Serial 3V Memory]
分类和应用: 存储
文件页数/大小: 14 页 / 146 K
品牌: RAMTRON [ RAMTRON INTERNATIONAL CORPORATION ]
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FM25L16
AC参数
(T
A
= -40 ° C至+ 85°C ,C
L
= 30pF的)
V
DD
2.7〜 3.0V
符号
f
CK
t
CH
t
CL
t
CSU
t
CSH
t
OD
t
ODV
t
OH
t
D
t
R
t
F
t
SU
t
H
t
HS
t
HH
t
HZ
t
LZ
笔记
1.
2.
3.
V
DD
3.0〜 3.6V
0
25
25
10
10
最大
18
单位
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
笔记
1
1
参数
SCK时钟频率
时钟高电平时间
时钟低电平时间
片选设置
芯片选择保持
输出禁止时间
输出数据有效时间
输出保持时间
取消选择时间
在上升时间的数据
在秋季时数据
数据建立时间
数据保持时间
/ HOLD建立时间
/ HOLD保持时间
/保持低到高阻
/高举到数据有效
0
30
30
10
10
最大
15
20
30
0
60
50
50
5
5
10
10
20
20
5
5
10
10
0
60
20
23
2
50
50
1,3
1,3
20
20
2
2
t
CH
+ t
CL
= 1/f
CK
.
特性值,但不是100 %生产测试。
上升和下降10%至90%的波形的测量的时间。
电源周期时序
(T
A
= -40 ° C至+ 85°C ,V
DD
= 2.7V至3.6V )
符号
参数
t
PU
上电(V
DD
分钟) ,以第一次访问( / CS为低电平)
t
PD
上次访问( / CS为高电平),断电(V
DD
分)
t
VR
V
DD
上升时间
t
VF
V
DD
下降时间
电容
(T
A
= 25 ° C,F = 1.0兆赫,V
DD
= 3.3V)
符号
参数
C
O
输出电容( SO )
C
I
输入电容
笔记
1.
2.
此参数是周期性采样,而不是100 %测试。
在测量上的V任意点的斜率
DD
波形。
1
0
50
100
最大
-
-
-
-
单位
ms
µs
微秒/ V
微秒/ V
笔记
1,2
1,2
-
-
最大
8
6
单位
pF
pF
笔记
1
1
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序水平
输出负载电容
10%和90 %的V
DD
5纳秒
0.5 V
DD
30 pF的
修订版3.0
2006年8月
第10页14