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FM25L256-S 参数 Datasheet PDF下载

FM25L256-S图片预览
型号: FM25L256-S
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内容描述: 256KB串行FRAM存储器3V - 扩展级温度 [256Kb FRAM Serial 3V Memory - Extended Temp]
分类和应用: 存储
文件页数/大小: 14 页 / 148 K
品牌: RAMTRON [ RAMTRON INTERNATIONAL CORPORATION ]
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FM25L256扩展的温度。
电气规格
绝对最大额定值
符号
描述
V
DD
电源电压相对于V
SS
V
IN
电压的任何引脚相对于V
SS
T
英镑
T
领导
V
ESD
储存温度
引线温度(焊接, 10秒)
静电放电电压
- 人体模型
( JEDEC标准JESD22 - A114 -B )
- 带电器件模型
( JEDEC标准JESD22 - C101 -A )
- 机型号
( JEDEC标准JESD22 - A115 -A )
包装湿度敏感度等级
评级
-1.0V至+ 5.0V
-1.0V至+ 5.0V
和V
IN
& LT ; V
DD
+1.0V
-55 ° C至+ 125°C
300° C
3kV
1kV
100V
MSL-1
注意,超出上述绝对最大额定值可能会导致器件永久性损坏。这是一个应力
只有等级,并且该设备的这些功能操作或高于那些在操作中列出的任何其它条件
本规范的部分,是不是暗示。长期在绝对最大额定值条件下工作会
影响器件的可靠性。
直流工作条件
(T
A
= -25 ° C至+ 85°C ,V
DD
= 3.0V至3.6V ,除非另有规定)
符号
参数
典型值
最大
单位
V
DD
电源电压
3.0
-
3.6
V
I
DD
电源电流
-
0.3
mA
@
SCK = 1.0 MHz的
@
SCK = 20.0兆赫
-
5.0
mA
I
SB
待机电流
1.0
-
@
T
A
= 25
°
C
µ
A
2.5
-
@
T
A
= 55
°
C
µ
A
5.0
-
@
T
A
= 70
°
C
µ
A
10.0
-
@
T
A
= 85
°
C
µ
A
I
LI
输入漏电流
-
µ
A
±1
I
LO
输出漏电流
-
µ
A
±1
V
IH
输入高电压
0.7 V
DD
V
DD
+ 0.5
V
V
IL
输入低电压
-0.3
0.3 V
DD
V
V
OH
输出高电压
-
V
V
DD
– 0.8
@
I
OH
= -2毫安
V
OL
输出低电压
-
0.4
V
@
I
OL
= 2毫安
V
HYS
输入滞后
0.05 V
DD
-
V
笔记
1.
V之间来回切换SCK
DD
-0.3V和V
SS
,其他投入V
SS
或V
DD
-0.3V.
2.
SCK = SI = / CS = V
DD
。所有输入V
SS
或V
DD
.
3.
V
SS
V
IN
V
DD
和V
SS
V
OUT
V
DD
.
4.
此参数为特征,但不是100 %测试。
D
E
ð S
N N
E G
M SI
6B
M E
25
O D用
5L
C
2
东西
: FM
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N 2 O
Al
F
笔记
1
2
3
3
4
修订版2.3
2007年3月
第9页14