初步
FM25L512
512KB串行FRAM存储器3V
特点
512K位的非易失性铁电RAM
•
组织为65,536 ×8位
•
无限的读/写周期
•
10年的数据保存
•
无需等待的写入™
•
先进的高可靠性铁电工艺
非常快的串行外设接口 - SPI
•
高达20MHz的频率
•
直接硬件替代EEPROM
•
SPI模式0 & 3 ( CPOL , CPHA = 0,0 & 1,1 )
写保护方案
•
硬件保护
•
软件保护
低功耗
•
低工作电压3.0V - 3.6V
•
20
µA
待机电流
行业标准配置
•
工业级温度-40 ° C至+ 85°C
•
8引脚“绿色” / RoHS指令的TDFN封装
•
足迹兼容SOIC - 8 (见第12页)
描述
该FM25L512是512千比特的非易失性存储器
采用先进的铁电工艺。一
铁电随机存取存储器或FRAM是
非易失性和执行读取和写入像
内存。它提供可靠的数据保持10年
同时消除了复杂性,开销,并且
所造成的系统级可靠性问题
EEPROM和其它非易失性存储器。
与串行EEPROM中, FM25L512执行
写在总线速度操作。没有写延时
发生的。下一个总线周期可能展开
立即无需数据轮询。该
下一个总线周期可能会立即启动。此外,该
产品提供了几乎无限的读写次数。
此外, FRAM具有更低的功耗
消耗比EEPROM 。
这些功能使得FM25L512理想
需要频繁的非易失性存储器应用
或快速写入或低功耗操作。示例
范围内的数据的收集,在那里数
写周期可能是至关重要的,要求苛刻的工业
控制在EEPROM的写入长的时间可以
导致数据丢失。
该FM25L512提供了实实在在的好处给用户
串行EEPROM作为硬件停靠
更换。该FM25L512采用高速SPI
总线,这增强了高速写入能力
的FRAM技术。设备规格
保证在一个工业级温度范围
-40 ° C至+ 85°C 。
这是一个已经固定的目标规格,但受产品
改变正在申请鉴定的结果。
引脚配置
顶视图
/ CS
SO
/ WP
VSS
1
2
3
4
8
7
6
5
VDD
/ HOLD
SCK
SI
引脚名称
/ CS
/ WP
/ HOLD
SCK
SI
SO
VDD
VSS
功能
芯片选择
写保护
HOLD
串行时钟
串行数据输入
串行数据输出
电源电压( 3.0〜 3.6V )
地
订购信息
FM25L512-DG
8引脚“绿色” / RoHS指令的TDFN
Ramtron的国际公司
1850 Ramtron的驱动器,科罗拉多斯普林斯,CO 80921
( 800 ) 545 - FRAM , ( 719 ) 481-7000
www.ramtron.com
修订版1.2
2007年8月
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