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FM25L16B-GTR 参数 Datasheet PDF下载

FM25L16B-GTR图片预览
型号: FM25L16B-GTR
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内容描述: 16Kb的串行3V F-RAM存储器 [16Kb Serial 3V F-RAM Memory]
分类和应用: 存储
文件页数/大小: 14 页 / 150 K
品牌: RAMTRON [ RAMTRON INTERNATIONAL CORPORATION ]
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FM25L16B - 16Kb的3V SPI F-RAM
AC参数
(T
A
= -40 ° C至+ 85°C ,C
L
= 30pF的,V
DD
= 2.7V至3.6V ,除非另有说明)
符号
参数
最大
单位
f
CK
SCK时钟频率
0
20
兆赫
t
CH
时钟高电平时间
22
ns
t
CL
时钟低电平时间
22
ns
t
CSU
片选设置
10
ns
t
CSH
芯片选择保持
10
ns
t
OD
输出禁止时间
20
ns
t
ODV
输出数据有效时间
20
ns
t
OH
输出保持时间
0
ns
t
D
取消选择时间
60
ns
t
R
在上升时间的数据
50
ns
t
F
在秋季时数据
50
ns
t
SU
数据建立时间
5
ns
t
H
数据保持时间
5
ns
t
HS
/ HOLD建立时间
10
ns
t
HH
/ HOLD保持时间
10
ns
t
HZ
/保持低到高阻
20
ns
t
LZ
/高举到数据有效
20
ns
笔记
1.
2.
3.
t
CH
+ t
CL
= 1/f
CK
.
特性值,但不是100 %生产测试。
上升和下降10%至90%的波形的测量的时间。
笔记
1
1
2
2,3
2,3
2
2
电容
(T
A
= 25 ° C,F = 1.0兆赫,V
DD
= 3.3V)
符号参数
C
O
输出电容( SO )
C
I
输入电容
笔记
1.
2.
此参数是周期性采样,而不是100 %测试。
在测量上的V任意点的斜率
DD
波形。
-
-
最大
8
6
单位
pF
pF
笔记
1
1
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序水平
输出负载电容
10%和90 %的V
DD
5纳秒
0.5 V
DD
30 pF的
数据保留
符号
参数
T
DR
@
+85ºC
@
+80ºC
@
+75ºC
10
19
38
最大
-
-
-
单位
岁月
岁月
岁月
笔记
修订版1.3
2011年3月
第10页14