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FM25V20-GTR 参数 Datasheet PDF下载

FM25V20-GTR图片预览
型号: FM25V20-GTR
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内容描述: 2MB串行3V F-RAM存储器 [2Mb Serial 3V F-RAM Memory]
分类和应用: 存储
文件页数/大小: 17 页 / 531 K
品牌: RAMTRON [ RAMTRON INTERNATIONAL CORPORATION ]
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FM25V20
2MB串行3V F-RAM存储器
特点
2M位的非易失性铁电RAM
组织为256K ×8位
高耐用性100万亿美元( 10
14
)读/写操作
10年的数据保存
无需等待的写入™
先进的高可靠性铁电工艺
非常快的串行外设接口 - SPI
高达40 MHz的频率
直接的硬件更换为串行闪存
SPI模式0 & 3 ( CPOL , CPHA = 0,0 & 1,1 )
写保护方案
硬件保护
软件保护
器件ID
设备ID读出制造商ID &部分ID
低电压,低功耗
低工作电压2.0V - 3.6V
100
A
待机电流(典型值)。
3
A
睡眠模式电流(典型值)。
行业标准配置
工业级温度-40 ° C至+ 85°C
8引脚“绿色” / RoHS指令EIAJ SOIC封装
8引脚“绿色” / RoHS指令的TDFN封装
8引脚“绿色” / POHS PDIP封装
描述
该FM25V20是2兆位非易失性存储器
采用先进的铁电工艺。一
铁电随机存取存储器或F -RAM是
非易失性和执行读取和写入像
内存。它提供可靠的数据保持10年
同时消除了复杂性,开销,并且
造成串行系统级可靠性问题
Flash等非易失性存储器。
与串行闪存的FM25V20执行写
操作以总线速度。没有写入延迟发生。
数据立即被写入到存储器阵列
后已经传送到该设备。下一个
总线周期可以开始,而不需要对数据进行
轮询。该产品提供了非常高的写
耐力,比数量级的更多的耐力
串行闪存。此外, F-RAM具有低功耗
消耗比串行闪存。
这些功能使得FM25V20理想
需要频繁的非易失性存储器应用
或快速写入或低功耗操作。示例
范围内的数据的收集,在那里数
写周期可能是至关重要的,要求苛刻的控制
其中串行闪存的写很长的时间可以引起
数据丢失。
该FM25V20提供了实实在在的好处给用户
串行闪存的硬件简易替换。
该装置采用高速SPI总线,这
提高F-RAM的高速写入能力
技术。该器件集成了一个只读
本产品符合每Ramtron公司的条款规范
标准保修。该产品已经完成了Ramtron的内部
资格测试,并达到生产状态。
设备ID是允许主机确定
制造商,产品密度和产品版本。
该设备是保证在工业
温度范围-40C至+ 85C的。
引脚配置
顶视图
/S
Q
/W
VSS
1
2
3
4
8
7
6
5
VDD
/ HOLD
C
D
S
Q
W
VSS
1
2
3
4
8
7
6
5
VDD
HOLD
C
D
引脚名称
/S
/W
/ HOLD
C
D
Q
VDD
VSS
功能
芯片选择
写保护
HOLD
串行时钟
串行数据输入
串行数据输出
电源电压
Ramtron的国际公司
1850 Ramtron的驱动器,科罗拉多斯普林斯,CO 80921
( 800 ) 545 - FRAM , ( 719 ) 481-7000
http://www.ramtron.com
修订版3.0
2012年8月
第17页1