预生产
FM25V02
256Kb的3V串行F-RAM存储器
特点
256K位的非易失性铁电RAM
•
组织为32,768 ×8位
•
高耐用性100万亿美元（ 10
14
）读/写操作
•
10年的数据保存
•
无需等待的写入™
•
先进的高可靠性铁电工艺
非常快的串行外设接口 - SPI
•
高达40 MHz的频率
•
直接的硬件更换为串行闪存
•
SPI模式0 & 3 （ CPOL ， CPHA = 0,0 & 1,1 ）
写保护方案
•
硬件保护
•
软件保护
器件ID和序列号
•
设备ID读出制造商ID &部分ID
•
唯一的序列号（ FM25VN02 ）
低电压，低功耗
•
低工作电压2.0V - 3.6V
•
90
µA
待机电流（典型值）。
•
5
µA
睡眠模式电流（典型值）。
行业标准配置
•
工业级温度-40 ° C至+ 85°C
•
8引脚“绿色” / RoHS指令的SOIC封装
•
8引脚“绿色” / RoHS指令的TDFN封装
描述
该FM25V02是256千比特的非易失性存储器
采用先进的铁电工艺。一
铁电随机存取存储器或F -RAM是
非易失性和执行读取和写入像
内存。它提供可靠的数据保持10年
同时消除了复杂性，开销，并且
造成串行系统级可靠性问题
Flash等非易失性存储器。
与串行闪存的FM25V02执行写
操作以总线速度。没有写入延迟发生。
数据立即被写入到存储器阵列
后已经传送到该设备。下一个
总线周期可以开始，而不需要对数据进行
轮询。该产品提供了非常高的写
耐力，比数量级的更多的耐力
串行闪存。此外， F-RAM具有低功耗
消耗比串行闪存。
这些功能使得FM25V02理想
需要频繁的非易失性存储器应用
或快速写入或低功耗操作。示例
范围内的数据的收集，在那里数
写周期可能是至关重要的，要求苛刻的工业
其中，控制串行闪存的写长的时间可以
导致数据丢失。
该FM25V02提供了实实在在的好处给用户
串行闪存的硬件简易替换。
该设备使用了高速SPI总线，这
提高F-RAM的高速写入能力
技术。该FM25VN02提供了一个独特的
这是在发展的预产期的产物。设备
鉴定完成， Ramtron公司并不期望改变
规格。 Ramtron公司将发行如果有一个产品变更通知
规格更改。
修订版2.0
2010年5月
是只读的，并且可以用于序列号
识别电路板或系统。这两款器件集成
一个只读的设备ID是允许主机
确定生产商，产品密度，并
产品版本。这些器件保证了一个多
工业级温度范围为-40 ° C至+ 85°C 。
引脚配置
S
Q
W
VSS
1
2
3
4
8
7
6
5
VDD
HOLD
C
D
/S
Q
/W
VSS
1
2
3
4
8
7
6
5
VDD
/ HOLD
C
D
顶视图
引脚名称
/S
/W
/ HOLD
C
D
Q
VDD
VSS
功能
芯片选择
写保护
HOLD
串行时钟
串行数据输入
串行数据输出
电源电压
地
Ramtron的国际公司
1850 Ramtron的驱动器，科罗拉多斯普林斯，CO 80921
（ 800 ） 545 - FRAM ， （ 719 ） 481-7000
http://www.ramtron.com
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