初步
FM28V100
为1Mbit字节宽度的F- RAM存储器
特点
1Mbit的铁电非易失性RAM
•
组织为128Kx8
•
高耐用性100万亿美元（ 10
14
）读/写操作
•
无需等待的写入™
•
页面模式操作，以33MHz的
•
先进的高可靠性铁电工艺
优越于电池供电的SRAM模块
•
没有电池忧虑
•
整体可靠性
•
真正的表面安装解决方案，没有返工步骤
•
优越的防潮，防震，振动
SRAM替代
•
JEDEC 128Kx8 SRAM引脚排列
•
60 ns的访问时间， 90 ns的周期时间
低功耗工作
•
2.0V - 3.6V电源
•
待机电流90
µA
（典型值）
•
有源电流7 mA （典型值）
行业标准配置
•
工业级温度-40 ° C至+ 85°C
•
32引脚“绿色” / RoHS封装
概述
该FM28V100是128K ×8非易失性存储器
读取和写入像一个标准的SRAM 。一
铁电随机存取存储器或F -RAM是
非易失性的，这意味着数据后保留
电源被移除。它提供了数据保持
10年同时消除了可靠性问题，
功能性的缺点，而且系统设计
电池供电的SRAM （ BBSRAM ）的复杂性。
快写时序和非常高的写入耐用性化妆
F-RAM优于其它类型的存储器。
在系统的FM28V100的操作非常相似
到其他RAM器件，可以用来作为一个下拉
替代标准的SRAM 。读取和写入
周期可通过切换芯片被触发使能引脚
或简单地通过改变地址。这架F -RAM
存储器是非易失性的，由于其独特的强电介质
存储过程。这些特性使得FM28V100
适用于需要非易失性存储器应用
频繁或快速写操作在一个SRAM的形式。
设备规格都保证在
工业温度范围-40 ° C至+ 85°C 。
引脚配置
A11
A9
A8
A13
WE
CE2
A15
VDD
NC *
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A10
CE1
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
VSS
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
TSOP -I
*预留A17上的2Mb
订购信息
FM28V100-TG
32引脚“绿色” / RoHS指令TSOP
FM28V100 - TGTR 32针“绿色” / RoHS指令TSOP ，
磁带&卷轴
这是一个已经固定的目标规格，但受产品
改变正在申请鉴定的结果。
修订版1.2
2010年5月
Ramtron的国际公司
1850 Ramtron的驱动器，科罗拉多斯普林斯，CO 80921
（ 800 ） 545 - FRAM ， （ 719 ） 481-7000
http://www.ramtron.com
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