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    2N2904JX 参数 Datasheet PDF下载

    2N2904JX图片预览
    型号： 2N2904JX
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅PNP晶体管 [Silicon PNP Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 2 页 / 198 K
    品牌： RAYTHEON [ RAYTHEON COMPANY ]
     浏览型号2N2904JX的Datasheet PDF文件第1页  
    2N2904
    硅PNP晶体管
    数据表
    电气特性
    在T规定的特性
    A
    = 25°C
    开关特性
    参数
    集电极 - 发射极击穿电压
    集电极 - 基极截止电流
    集电极 - 基极截止电流
    集电极 - 基极截止电流
    集电极 - 发射极截止电流
    发射基截止电流
    发射基截止电流
    基本特征
    参数
    符号
    h
    FE1
    h
    FE2
    h
    FE3
    h
    FE4
    h
    FE5
    h
    FE6
    V
    BEsat1
    V
    BEsat2
    V
    CEsat1
    V
    CEsat2
    符号
    |h
    FE
    |
    h
    FE
    C
    敖包
    C
    IBO
    t
    on
    t
    关闭
    测试条件
    I
    C
    = 0.1毫安， V
    CE
    = 10伏
    I
    C
    = 1.0毫安， V
    CE
    = 10伏
    I
    C
    = 10 mA时， V
    CE
    = 10伏
    I
    C
    = 150毫安， V
    CE
    = 10伏
    I
    C
    = 500毫安， V
    CE
    = 10伏
    I
    C
    = 10 mA时， V
    CE
    = 10伏
    T
    A
    = -55
    O
    C
    I
    C
    = 150毫安，我
    B
    = 15毫安
    I
    C
    = 500毫安，我
    B
    = 50毫安
    I
    C
    = 150毫安，我
    B
    = 15毫安
    I
    C
    = 500毫安，我
    B
    = 50毫安
    测试条件
    V
    CE
    = 20伏，我
    C
    = 50毫安，
    F = 100 MHz的
    V
    CE
    = 10伏，我
    C
    = 1毫安，
    F = 1千赫
    V
    CB
    = 10伏，我
    C
    = 0 mA时，
    100千赫< ˚F < 1兆赫
    V
    EB
    = 2.0伏特，我
    E
    = 0 mA时，
    100千赫< ˚F < 1兆赫
    符号
    V
    （ BR ） CEO
    I
    CBO1
    I
    CBO2
    I
    CBO3
    I
    CES
    I
    EBO1
    I
    EBO2
    测试条件
    I
    C
    = 10毫安
    V
    CB
    = 60伏
    V
    CB
    = 50伏
    V
    CB
    = 50伏，T
    A
    = 150
    O
    C
    V
    CE
    = 40伏
    V
    EB
    = 5伏
    V
    EB
    = 3.5伏
    民
    40
    10
    20
    20
    1
    10
    50
    典型值
    最大
    单位
    伏
    µA
    nA
    µA
    µA
    µA
    nA
    脉冲测试：脉冲宽度= 300
    µs,
    占空比
    ≤
    2.0%
    直流电流增益
    民
    20
    25
    35
    40
    20
    15
    典型值
    最大
    175
    120
    单位
    基射极饱和电压
    集电极 - 发射极饱和电压
    动态特性
    参数
    震级 - 共发射极，短
    电路正向电流传输比
    小信号短路正向
    电流传输比
    开路输出电容
    开路输入电容
    开关特性
    饱和导通时间
    饱和的关断时间
    1.3
    2.6
    0.4
    1.6
    伏
    伏
    民
    2.0
    25
    典型值
    最大
    单位
    8
    30
    pF
    pF
    45
    300
    ns
    ns
    Copyright 2002年
    牧师ħ
    Semicoa半导体公司
    麦考密克333大道，加州Costa Mesa 92626 714.979.1900 ，传真714.557.4541
    第2页2
    www.SEMICOA.com

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